一种芯壳型纳米线的制备方法技术

本发明专利技术涉及一类芯壳型纳米线的激光沉积制备方法，属于半导体纳米材料及其异质结构领域。特别涉及以低密度纳米线阵列为模板，实现了结构和光学性质均匀的氧化锌基纳米线异质结的生长。以低密度纳米线阵列为模板，通过低压脉冲激光沉积技术沿纳米线外延生长壳层；有效克服了现存制备技术中的阴影效应；通过原位靶材更换，可方便实现多壳层纳米线的制备与壳层厚度控制；获得了结构和光学性质可控的芯壳型纳米线，比现有技术制备的纳米线异质结更加均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一类芯壳型纳米线的激光沉积制备方法，属于半导体纳米材料及其异 质结构领域。特别涉及以低密度纳米线阵列为模板，实现了结构和光学性质均勻的氧化锌 基纳米线异质结的生长。
技术介绍
半导体异质结是由两块因成份调制而带隙能量不同的单晶半导体连接而成的。异 质结可以分为同型(n-n或p-p)和异型(p-n)异质结两种。同型异质结能形成限制载流子 的势垒，从而有效的缩短载流子的扩散长度。异型异质结可以通过改变结两侧带隙能量的 相对大小来提高电子或空穴的注入效率。当LED的有源层厚度可以和晶体中电子的德布罗 意(de Broglie)波长相比拟或比它小时，载流子会被量子限域。这种双异质结构即为量子 阱(QW)结构。量子阱结构是现在高亮度发光二极管(LED)最通用的结构。氧化锌是一种 新型的II VI族直接宽带隙化合物半导体材料，具有优异的光学和电学特性，室温下的 带隙为3. 37eV，激子束缚能为60meV，大于室温下的热离化能Q5meV)，具备了发射蓝光或 近紫外光的优越条件，可开发出紫外、蓝光、绿光等多种发光器件。氧化锌纳米线由于具有 独特的尺寸、维度及新颖的物理性质是人们研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种芯壳型纳米线的制备方法，其特征在于：以低密度纳米线阵列为模板，通过低压脉冲激光沉积方法沿纳米线外延生长壳层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹丙强，段广彬，徐红燕，王介强，陶珍东，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：88