【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，更具体的，本专利技术涉及。
技术介绍
集成电路即IC技术的不断进步，集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几 十几百个进化到现在的数以百万计。目前IC的性能和复杂度远非当初所能想象。为了达 到复杂度和电路密度的要求(即集成到确定区域内的器件数量)，最小的特征尺寸，也就 是公知的器件的“几何线宽”随着工艺技术的革新而越来越小。如今，半导体器件的最小线 宽已经小于0. 25微米。不断增加的电路密度不仅提高了 IC的性能和复杂程度，同时还给客户带来更低 成本的部件。一套集成电路生产设备可能要花费几亿甚至几十亿美元。而每个生产设备的 产率是一定的，硅片上的IC数量也是确定的，因此，通过减小IC上每个器件的特征尺寸，就 可以在同一硅片上制作出更多的器件，从而提高了整个产线的产量。但是，制作小尺寸器件 是一件非常具有挑战性的工作，因为IC制造的每一工艺都有工艺极限，而且，每个制程只 适用于确定的特征尺寸。一直以来，集成电路的制造都是由专门的代工厂完成的，无生产线的芯片公司负 责设计集成电路。集成电路通过掩模版完成图形转移并进行制造。诸如中芯国...
【技术保护点】
一种集成电路电感的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层中形成有牺牲层，所述牺牲层厚度小于介电层的厚度；在介电层上形成集成电路电感，所述集成电路电感位置与牺牲层位置相对应；移除所述牺牲层，形成介电层空腔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈真，林永锋，黄琳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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