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一种集成电路电感，包括：半导体衬底；半导体衬底上的介电层，所述介电层中形成有介电层空腔，介电层空腔深度小于介电层厚度；介电层上形成有集成电路电感，所述集成电路电感的位置与位于介电层中介电层空腔位置相对应。相应的，本发明还提供了一种集成电路电...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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