光刻机曝光剂量控制方法技术

本发明专利技术的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。本发明专利技术的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强，测试过程中，操作简单、直观。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻技术，尤其涉及一种。
技术介绍
在光刻机剂量控制方法中，剂量控制算法主要是根据曝光剂量需求、激光器功率、 扫描长度以及其它参数计算出相关剂量控制参数，比如扫描时间或扫描速度，有效狭缝脉 冲数，激光器频率和可变衰减器透过率等，并最终选择合适的脉冲能量控制算法进行曝光。如图1所示，步进扫描光刻机包括依次排列的激光器1、可变衰减器2、分光镜4、均 光系统5、照明镜组6、掩模台7、投影物镜8和工件台9 ；，还包括一能量探测器3，所述能量 探测器3与分光镜4连接。图2所示为曝光场扫描曝光的示意图，图中，Ll表示扫描长度LsCan，L2表示视场 轮廓扫描向宽度bottom，L3表示曝光场宽度Lexposure，L4表示有效狭缝宽度Wslit，L5 表示视场轮廓非扫描向宽度Lslit，该图清楚反映了与扫描有关的各量之间的尺寸关系。介绍光刻技术中一些物理量和参数的定义曝光剂量需求DoSe_req定义为硅片 曝光场上的光刻胶所需要的曝光能量密度；激光脉冲的有效能量Ep定义为当可变衰减器 VA的透过率设置为100%时候，激光器出射的单脉冲经过曝光系统到达硅平面的能量；扫 描长度Ls本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数Ｌ＿ＤＡ、客户成本偏好系数Ｌ＿ＣＯＯ、硬件参数和曝光剂量需求Ｄｏｓｅ＿ｒｅｑ；步骤２，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤１输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤３，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，张志钢，罗闻，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31