双面对准装置及其对准方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种双面对准装置及其方法。双面对准装置包括掩模对准装置、硅片前表面对准装置和硅片后表面对准装置。掩模对准装置包括掩模照明光学系统、掩模成像光学系统和图像传感器，实现掩模标记对准；硅片前表面对准装置包括上述掩模照明光学系统、掩模成像光学系统和图像传感器，借助于投影物镜实现硅片前表面标记对准和工件台基准标记对准；硅片后表面对准装置包括底部照明光学系统、底部成像光学系统、上述掩模成像光学系统和图像传感器，借助于投影物镜实现硅片后表面标记对准。本发明专利技术的双面对准装置及其对准方法，降低了双面对准系统的设计成本及复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种对准装置及方法，且特别是有关于一种双面对准装置及其对 准方法。
技术介绍
为了实现封装器件智能化和小型化的发展要求，出现了对多晶片(硅片)封装解 决方案的需要。多晶片封装是一种将两个或更多平面器件堆叠并连接起来的硅片级封装方 法，该封装方法也称为三维(3D)封装。在3D封装中，TSV封装工艺方式被认为是未来最有 潜力、也是最有前途的3D封装方式之一。TSV封装工艺方法是在半导体晶片的正面到背面 形成微型通孔，然后以电气方式将上下晶片连接起来，由于采用3D垂直互联方式，从而大 大缩短了晶片之间的互联引线长度，从而使封装器件在体积、性能及信号传输速度上都有 了大幅度提高。TSV封装工艺方式要求对硅片进行双面曝光，因此要求半导体光刻设备具有双面 对准装置以满足双面曝光的工艺需求，该装置不仅能对硅片前表面进行对准，而且也能对 硅片后表面进行对准，双面对准装置的测量精度直接决定了硅片前后表面光刻图形的套刻误差。美国专利US6525805B2所述的双面对准装置，利用同轴对准方式实现硅片前表面 对准，利用可见光测量法通过离轴对准装置实现硅片后表面对准，该实施例所述硅片后表 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面对准装置，用于掩模和硅片前后表面对准，其特征在于，包括：掩模对准装置，位于掩模版上方，包括掩模照明光学系统、掩模成像光学系统和图像处理单元；硅片前表面对准装置，包括上述掩模照明光学系统、上述掩模成像光学系统和上述图像处理单元，借助于投影物镜实现硅片前表面标记对准和工件台基准标记对准；硅片后表面对准装置，设置在工件台上，包括底部照明光学系统、底部成像光学系统、上述掩模成像光学系统和图像处理单元，借助于投影物镜实现硅片后表面标记对准。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡巍，徐兵，陈跃飞，张春莲，王端秀，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31