对准器结构及对准方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种对准器结构，以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。本发明专利技术的对准器结构作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准器结构，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度，从而以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理装置，更详细而言，涉及一种为了在基板上执行沉积工序而对准基板及掩模的对准器结构及对准方法。
技术介绍
随着IT技术的飞跃性发展与智能手机等显示装置市场的成长，平板显示装置(Flat Panel Display)倍受瞩目。作为这种平板显示装置，有液晶显示装置(Liquid Crystal Display)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diodes)等。其中，有机发光显示装置具有快速的响应速度、比原有液晶显示装置更低的耗电、轻量性、因不需要另外的背光(back light)装置而能够制造成超薄型、高亮度等非常好的优点，因而作为下一代显示元件而倍受瞩目。这种有机发光显示装置利用了在基板上依次形成阳极、有机膜、阴极并在阳极与阴极之间施加电压而自行发光的原理。有机发光显示装置虽然未图示，但在基板上依次形成有阳极(anode)、空穴注入层(hole injection layer)、空穴传输层(hole transfer layer)、发光层(emitting layer)、电子传输层(electron transfer layer)、电子注入层(electron injection layer)、阴极(cathode)。其中，阳极使用表面电阻小、光线透过性好的ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)。而且，有机膜对空气中的水分和氧气非常脆弱，因而为了使元件的寿命(life time)增加，在最上部形成有封闭了有机膜等的封装膜。另一方面，为了有机发光显示装置的制造，阳极、阴极、有机膜、封装膜等一般通过真空沉积法形成。其中，所谓真空沉积法，是指在真空腔中设置使沉积物质加热而蒸发的源物质，把从源物质蒸发的沉积物质沉积于基板表面的方法。而且，在制造有机发光显示装置方面，如图1所示，具有既定图案的阳极、阴极、有机膜等是使掩模(M)结合于基板(S)而形成。在图1中，F是指使借助于磁力等而对准的掩模(M)及基板(S)贴紧的支撑构件。此时，如图2所示，为了使得与预先设计的图案一致，需要对齐基板(S)及掩模(M)，为此，在利用摄像头进行识别的同时，借助于移动手段而使掩模(M)移动，使得在基板(S)及掩模(M)上分别形成的标记(m1,m2)相互一致后，利用支撑构件(F)，使掩模(M)贴紧基板(S)。作为以往的对准器结构，有韩国注册专利第10-0627679号。可是，随着显示装置的分辨率不断提高，图案也细微化，为了细微化图案的形成，需要基板(S)及掩模(M)的更精密对齐。而且，基板(S)及掩模(M)的精密对齐必须体现基板(S)或掩模(M)的细微移动方可。但是，以往的对准器结构采用滚珠螺杆等机械式运转方式，因此，存在无法实现基板(S)或掩模(M)的细微移动的问题。另外，作为采用机械式运转方式的以往方法，基板(S)及掩模(M)不容易精密对齐，借助通过数次反复的对齐而执行，因而基板(S)及掩模(M)的对齐所需的时间增加，使整体工序时间增加，存在显示装置的生产率低下的问题。特别是基板(S)及掩模(M)的对齐所需的时间使整体工序时间增加，存在显示装置的生产率低下的问题，需要对基板(S)及掩模(M)的更迅速的对齐方法。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为了解决这种问题，本专利技术的目的在于提供一种对准器结构及对准方法，借助于相对较大移动尺度的基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动及相对较小移动尺度的基板(S)及掩模(M)间的第2次相对移动的组合，能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。根据本专利技术的另一方面，目的在于提供一种能够迅速执行基板(S)及掩模(M)的对齐的对准器结构及对准方法。技术方案为了解决所述课题，本专利技术公开一种对准器结构，作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准器结构，其特征在于，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度。可以构成为所述第1次对准部(100)及所述第2次对准部(200)结合于对掩模(M)进行支撑的掩模支撑部(310)，使所述掩模支撑部(310)移动，相对于基板(S)，执行支撑于掩模支撑部(310)的掩模(M)的第1相对移动及第2相对移动。可以构成为所述第1次对准部(100)及所述第2次对准部(200)结合于对基板(S)进行支撑的基板支撑部(320)，使基板支撑部(320)移动，相对于掩模(M)，执行支撑于基板支撑部(320)的基板(S)的第1相对移动及第2相对移动。可以构成为所述第2次对准部(100)结合于对掩模(M)进行支撑的掩模支撑部(310)，使所述掩模支撑部(310)移动，相对于基板(S)，执行支撑于掩模支撑部(310)的掩模(M)的第2相对移动，所述第1次对准部(220)结合于对基板(S)进行支撑的基板支撑部(310)，使所述基板支撑部(320)移动，相对于掩模(M)，执行支撑于基板支撑部(320)的基板(S)的第1相对移动。可以构成为所述第1次对准部(100)结合于对掩模(M)进行支撑的掩模支撑部(310)，使所述掩模支撑部(310)移动，相对于基板(S)，执行支撑于掩模支撑部(310)的掩模(M)的第1相对移动，所述第2次对准部(220)结合于对基板(S)进行支撑的基板支撑部(310)，使所述基板支撑部(320)移动，相对于掩模(M)，执行支撑于基板支撑部(320)的基板(S)的第2相对移动。优选所述第1相对移动的移动范围为5μm～10μm，所述第2相对移动的移动范围为10nm～5μm。所述第1次对准部(100)可以借助于滚珠螺杆组合、齿条及齿轮组合、皮带及滑轮组合中的某一种而线性驱动，所述第2次对准部(200)可以借助于压电元件而线性驱动。本专利技术还公开一种对准方法，作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准方法，其特征在于，同时执行使基板(S)及掩模(M)贴紧的贴紧步骤以及对准基板(S)及掩模(M)的对准步骤。可以首先执行使所述基板(S)及掩模(M)贴紧的贴紧步骤，当基板(S)及掩模(M)之间的相对距离达到预先设置的值(G)时，同时执行贴紧步骤及对准步骤。本专利技术还公开一种对准方法，作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准方法，其特征在于，包括：对准步骤，执行对基板(S)及掩模(M)的对准；贴紧步骤，在所述对准步骤后，使基板(S)及掩模(M)贴紧；对齐与否测量步骤，在所述贴紧步骤后，测量基板(S)及掩模(M)之间的误差是否在预先设置的允许误差范围(E1)内；后续对准步骤，当所述对齐与否测量步骤中测量的误差大于所述允许误差范围(E1)时，重新分离基板(S)及掩模(M)后，再次执行所述对准步骤至所述对齐与否测量步骤；所述后续对准步骤包括辅助对准步骤，当所述对齐与否测量步骤中测量的误差大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板对准器结构，作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的基板对准器结构，其特征在于，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.27 KR 10-2014-0023002;2014.10.10 KR 10-2011.一种基板对准器结构，作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的基板对准器结构，其特征在于，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度。2.根据权利要求1所述的基板对准器结构，其特征在于，所述第1次对准部(100)及所述第2次对准部(200)结合于对掩模(M)进行支撑的掩模支撑部(310)，使所述掩模支撑部(310)移动，相对于基板(S)，执行支撑于掩模支撑部(310)的掩模(M)的第1相对移动及第2相对移动。3.根据权利要求1所述的基板对准器结构，其特征在于，所述第1次对准部(100)及所述第2次对准部(200)结合于对基板(S)进行支撑的基板支撑部(320)，使基板支撑部(320)移动，相对于掩模(M)，执行支撑于基板支撑部(320)的基板(S)的第1相对移动及第2相对移动。4.根据权利要求1所述的基板对准器结构，其特征在于，所述第2次对准部(100)结合于对掩模(M)进行支撑的掩模支撑部(310)，使所述掩模支撑部(310)移动，相对于基板(S)，执行支撑于掩模支撑部(310)的掩模(M)的第2相对移动，所述第1次对准部(220)结合于对基板(S)进行支撑的基板支撑部(310)，使所述基板支撑部(320)移动，相对于掩模(M)，执行支撑于基板支撑部(320)的基板(S)的第1相对移动。5.根据权利要求1所述的基板对准器结构，其特征在于，所述第1次对准部(100)结合于对掩模(M)进行支撑的掩模支撑部(310)，使所述掩模支撑部(310)移动，相对于基板(S)，执行支撑于掩模支撑部(310)的掩模(M)的第1相对移动，所述第2次对准部(220)结合于对基板(S)进行支撑的基板支撑部(310)，使所述基板支撑部...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹生贤，
申请(专利权)人：VNI斯陆深株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR