【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻对准技术，且特别是有关于。
技术介绍
光刻装置主要用于集成电路IC或其他微型器件的制造。在制造过程中，一个完整的芯片通常需要经过多次光刻曝光才能制作完成。在这些曝光过程中，硅片与硅片台之间的对准精度是影响光刻精度的一个重要因素。现有的光刻装置通常采用两种对准方案，一种是透过镜头的TTL对准技术，另一种是OA离轴对准技术。在TTL对准技术中，首先由激光照明掩模上的对准标记，使其成像于硅片平面，然后移动工件台，使工件台上的参考标记扫描经过对准标记所成的像，并由光强探测器采样所成像的光强，输出最大光强时表明工件台上的参考标记与掩模上的对准标记重合，此即为正确的对准位置，该对准位置为用于监测工件台位置移动的激光干涉仪的位置测量提供了零基准。OA离轴对准技术是通过离轴对准系统测量位于工件台上的多个对准标记以及工件台上基准板的基准标记，来实现硅片对准和硅片台对准，再通过工件台上参考标记与掩模对准标记的对准，来实现掩模对准，进而再通过掩模和硅片的位置关系，来实现掩模和硅片对准。现有的参考标记和对准标记多由一维振幅光栅组成，即由多条间隔相等线宽也相等的透光光栅...
【技术保护点】
１．一种对准标记，包括用于粗对准的第一方形标记以及用于精对准的第一光栅标记，其特征在于：所述第一光栅标记由用于水平方向对准的第一光栅与用于垂直方向对准的第二光栅组成，所述第一光栅与第二光栅均包括奇数个光栅线条，并且所述光栅线条之一设置于所述第一光栅标记的几何中心，其它所述光栅线条关于所述几何中心对称分布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡明辉，李运锋，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，上海微高精密机械工程有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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