一种磁控溅射装置制造方法及图纸

一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置，其溅射靶的侧壁及底壁具有凹凸相间的锯齿状表面，从而能够增大其与冷却介质的接触面积，提高冷却效果，从而防止由于溅射靶过热逸出大颗粒金属粒子造成的基板污染。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种磁控溅射装置，尤其是一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置。
技术介绍
在半导体制备领域中，半导体上集成元件的相互连接通常是通过具有优异传导性、能够迅速准确传达电信号的铝膜等金属膜完成的。而这些金属膜的形成方法主要有沉积法和溅射法等。其中，溅射法与沉积法相比，形成的膜厚更为均勻，因此得到了广泛的应用。但是随着半导体部件的集成度越来越高，要求金属膜越来越细微的同时，还要求其表面凹凸更为明显，这使得溅射形成金属膜时，在阶梯处的涂布性效果不好，信号传导准确性大为降低。为了改善上述问题，采用将阶梯纵横比大的部位用金属膜全部封孔的方法， 但这种方法在溅射成膜时往往需要在电极间加大功率(通常是12kW以上)，这导致了溅射靶在成膜过程中温度急剧上升，溅射靶中大的金属粒子也从表面逸出，而这些大颗粒金属粒子往往对半导体基板表面造成污染。因此，为了防止上述问题的出现，通常为溅射靶添加冷却管路，通入冷却介质以减少靶材温升。现有技术中常见的溅射装置如图1所示，其具有一个处理室1，处理室具有一个用于密封的盖2，盖2的中部设有中心开孔3以容纳磁控枪4，中心开孔3两侧设有进水孔5和出水孔6，用以导入、导出冷却介质，盖2的下侧表面固定有圆筒状溅射靶7，溅射靶 7的侧壁8以及底壁9围绕磁控枪4并与磁控枪4留有间隙，以作为冷却介质的流通通道， 处理室底部设有承载半导体基板10的载物台11。然而，上述冷却方法对于12kW以上的大功率溅射而言冷却效果还是远远不够。
技术实现思路
为了克服上述各处理方法的不足，本技术所要解决的技术问题是提供一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置，以适用于大功率的溅射成膜处理。本技术解决其技术问题所采用的具体技术方案是一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置，其具有一个处理室1，处理室具有一个用于密封的盖2，盖2的中部设有中心开孔3以容纳磁控枪4，中心开孔3两侧设有进水孔5和出水孔6，用以导入、导出冷却介质，盖2的下侧表面固定有圆筒状溅射靶7，溅射靶7的侧壁8以及底壁9围绕磁控枪 4并与磁控枪4留有间隙，以作为冷却介质的流通通道，处理室底部设有承载半导体基板10 的载物台11，其特征是溅射靶的侧壁8以及底壁9具有凹凸相间的锯齿状表面。本技术的有益效果是，由于溅射靶的侧壁及底壁具有凹凸相间的锯齿状表面，从而能够增大其与冷却介质的接触面积，提高冷却效果，从而防止由于溅射靶过热逸出大颗粒金属粒子造成的基板污染。附图说明图1是现有技术中溅射装置的结构示意图。图2是本技术中溅射装置的结构示意图。1.处理室；2.盖；3.中心开孔；4.磁控枪；5.进水控；6.出水孔；7.溅射靶；8.侧壁；9.底壁；10.基板；11.载物台。具体实施方式如图2所示，一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置，其具有一个处理室 1，处理室具有一个用于密封的盖2，盖2的中部设有中心开孔3以容纳磁控枪4，中心开孔 3两侧设有进水孔5和出水孔6，用以导入、导出冷却介质，盖2的下侧表面固定有圆筒状溅射靶7，溅射靶7的侧壁8以及底壁9围绕磁控枪4并与磁控枪4留有间隙，以作为冷却介质的流通通道，处理室底部设有承载半导体基板10的载物台11，其特征是溅射靶的侧壁8 以及底壁9具有凹凸相间的锯齿状表面。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置，其具有一个处理室（１），处理室具有一个用于密封的盖（２），盖（２）的中部设有中心开孔（３）以容纳磁控枪（４），中心开孔（３）两侧设有进水孔（５）和出水孔（６），用以导入、导出冷却介质，盖（２）的下侧表面固定有圆筒状溅射靶（７），溅射靶（７）的侧壁（８）以及底壁（９）围绕磁控枪（４）并与磁控枪（４）留有间隙，以作为冷却介质的流通通道，处理室底部设有承载半导体基板（１０）的载物台（１１），其特征是溅射靶的侧壁（８）以及底壁（９）具有凹凸相间的锯齿状表面。

【技术特征摘要】
1. 一种具有优异溅射靶冷却效果的磁控溅射装置，其具有一个处理室(1)，处理室具有一个用于密封的盖(2)，盖(2)的中部设有中心开孔(3)以容纳磁控枪⑷，中心开孔(3) 两侧设有进水孔(5)和出水孔(6)，用以导入、导出冷却介质，盖(2)的下侧表面固...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑顺奇，齐伟光，倪杨，
申请(专利权)人：宁波表面工程研究中心，
类型：实用新型
国别省市：97