一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法，一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题，实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材I相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材II相接。本发明专利技术通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射时间等，实现在连续SiC纤维表面沉积不同种类和不同厚度的金属或化合物薄膜，对SiC纤维进行表面改性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术，更具体地，涉及一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)法连续SiC纤维由于具有高比强度、高比刚度等优异的性能， 其高温性能可以保持到1200°C，是金属(Ti合金、Ni合金)基复合材料的主要增强体，应用于航空、航天领域，可以显著降低材料的密度，提高力学性能。为了降低SiC纤维的表面残余应力，提高纤维的强度，SiC纤维表面一般带有约 2. 5μπι厚的富碳涂层，但是在金属(尤其是Ni合金)基复合材料制备过程中发现这种富碳涂层不能很好地阻止SiC纤维和基体之间的反应，破坏了纤维的完整性，使纤维失去了增强效果。为了有效地控制纤维和基体之间的反应，同时改善纤维和基体之间的物理相容性，需要在SiC纤维表面沉积新的涂层，符合以上条件的涂层一般是化合物涂层，如Al2O3， TiN，AlN等。同时也可以继续在沉积有化合物涂层的连续SiC纤维表面沉积一定厚度的金属层，根据金属靶材的不同，可以在纤维表面形成不同的金属层，包括Ti及其合金、Ni及其合金等，以制备连续SiC纤维/金属(合金)基复合材料复合先驱丝。物理气相沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种在ＳｉＣ纤维表面沉积薄膜的装置，其特征在于，该装置设有靶材Ｉ、靶材ＩＩ、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室，工件转架置于磁控溅射真空室中，靶材Ｉ、靶材ＩＩ在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中，中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶材Ｉ相接，中频脉冲磁控溅射电源的阳极与靶材ＩＩ相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖金泉，张露，石南林，宫骏，孙超，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：89