通孔形成方法技术

本发明专利技术提供了一种通孔形成方法，包括：预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量之间的函数关系，得到形成第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压；在所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压下，利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第二目标尺寸的通孔。本发明专利技术减小了刻蚀后通孔的特征尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
超大规摸集成电路(VeryLarge Scale Integrated Circuit, VLSI)通常需要一层以上的金属层提供足够的互连能力，此多层金属间的互连以及器件有源区与外界电路之间的连接通过已填充导电材料的通孔实现，且为保证器件工作的稳定性，要求通孔间无电连接，使得对通孔刻蚀工艺的严格控制变得非常重要。在通孔刻蚀中，在光刻后和蚀刻后分别要对通孔进行测量。光刻后在掩膜层中形成的通孔的大小通过ADI (After Develop inspection) CD (CriticalDimension)表征，蚀刻后在介质层中形成的通孔的大小通过AEI (After ETCHinspection) CD表征。随着工艺节点的下降，通孔的尺寸也越来越小，为了实现AEI CD的减小，在现有技术中利用减小ADI CD 的办法。例如通过调整刻蚀之前的掩膜图形的结构。例如在名称“通孔刻蚀方法及通孔掩膜”申请号“200710040254. 6”的中国专利申请中提供了一种通孔刻蚀方法，该方法是通过在固有通孔掩膜基础上增加一辅助掩膜， 以减本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通孔形成方法，包括：提供刻蚀腔室和晶片，在刻蚀腔室中包括用于放置晶片的静电卡盘，所述静电卡盘上具有吸附电极，当向所述吸附电极施加电压，则吸附电极产生将晶片向静电卡盘方向吸附的力，所述晶片包括介质层和位于介质层上的掩膜图形；预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；其特征在于，还包括步骤：根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量之间的函数关系，得到形成第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压；在所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压下，利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，孙武，周俊卿，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31