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本发明提供了一种通孔形成方法，包括：预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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