阵列基板及其制造方法和液晶显示器技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该阵列基板中，栅线的上方形成有附加电极，附加电极和栅线之间以栅绝缘层相互间隔，且附加电极与公共电极线电连接；像素电极的图案延伸至附加电极的上方与附加电极重叠，像素电极与附加电极和公共电极线重叠的部分形成存储电容。本发明专利技术结合了基于栅线的存储电容和基于公共电极线的存储电容两种形式，能够提高存储电容值，且减小了存储电容对其他显示因素的影响。不会因为需要过大的公共电极线面积而降低开口率，形成的阻容延迟较小，能获得较好的显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。液晶面板是TFT-LCD中的重要部件，一般包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板， 其间填充液晶层。图IA为现有阵列基板的局部俯视结构示意图，图IB为图IA中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。如图IA和IB所示，该阵列基板包括衬底基板1 ；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2 ；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元； 每个像素单元包括TFT开关和像素电极11 ;TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6 ；栅电极3连接栅线2，源电极7连接数据线5，漏电极8连接像素电极11，有源层6 形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间。上述数据线5、栅线2、TFT开关的栅电极3、 源电极7、漏电极8和有源层6，以及像素电极11可统称为导电图案。为保持各导电图案的绝缘，可将同层设置的导电图案间隔设置，或本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种阵列基板，包括衬底基板；所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；所述数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括ＴＦＴ开关和像素电极；每个所述ＴＦＴ开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极；所述衬底基板上还形成有公共电极线，其特征在于：所述栅线的上方形成有附加电极，所述附加电极和所述栅线之间以栅绝缘层相互间隔，且所述附加电极与所述公共电极线电连接；所述像素电极的图案延伸至所述附加电极的上方与所述附加电极重叠，所述像素电极与所述附加电极和公共电极线重叠的部分形成存储电容。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，陈旭，龙春平，徐少颖，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11