一种液晶显示装置，包括阵列基板、相对基板以及在所述阵列基板和所述相对基板之间的液晶层。所述阵列基板包括：在第一基板上彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线；与所述栅极线平行的公共线；从所述公共线延伸的第一和第二公共线图案，其中所述数据线位于所述第一和第二公共线图案之间；连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管；连接到所述薄膜晶体管并位于所述像素区域的像素电极；以及在所述栅极线、公共线以及第一和第二公共线图案下面的无机黑矩阵，其中位于所述第一和第二公共线图案下面的所述无机黑矩阵屏蔽所述数据线。所述相对基板包括在第二基板上的公共电极。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示装置，并且更特别地，涉及一种。
技术介绍
直到最近，显示装置还通常使用阴极射线管(CRT)。目前，进行了很多努力和研究来研发诸如液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)、场发射显示器和电致发光显示器 (ELD)等不同类型的平板显示器作为CRT的替代品。在这些平板显示器中，LCD装置具有诸如高分辨率、轻质量、薄厚度、紧凑尺寸和低的电源电压等许多优点。通常，LCD装置包括两个基板，这两个基板间隔开并彼此相对，在两个基板之间有液晶材料。这两个基板包括彼此相对的电极以便在施加电压时在电极之间产生横跨液晶材料的电场。液晶材料中的液晶分子的取向根据感应电场的强度改变到感应电场的方向，从而改变LCD装置的光透射率。因此，LCD装置通过改变感应电场的强度显示图象。图1是现有技术的IXD装置的横截面图。参照图1，IXD装置包括液晶面板10和该液晶面板下方的背光，该液晶面板10包括阵列基板、滤色器基板以及在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层50。阵列基板包括在第一基板1上彼此交叉以限定像素区域P的栅极线(未示出)和数据线4。薄膜晶体管Tr形成在靠近栅极线和数据线4的交叉部分的开关区域TrA中。像素电极M形成在显示区域AA中以充分地显示图象并连接到薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr包括栅极电极11、栅极绝缘层13、半导体层15以及源极电极17和漏极电极19。钝化层21形成在具有薄膜晶体管Tr的第一基板1上，而像素电极M形成在钝化层21上并连接到漏极电极19。滤色器基板包括在第二基板2上由黑色树脂制成的黑矩阵32。黑矩阵32屏蔽诸如栅极线、数据线4和薄膜晶体管等非显示元件并暴露像素电极M。红㈨、绿(G)和蓝⑶滤色器34对应于黑矩阵32的各个开口形成。公共电极 36形成在滤色器；34和黑矩阵32上。在LCD装置中，电场的非正态分布发生在由电极和线造成的台阶部分的周围，这将导致液晶分子的非正常操作。因此，在台阶部分周围发生漏光。黑矩阵32位于非正常操作的液晶分子所在的区域，例如，位于栅极线和数据线4 所在的区域，以防止漏光。此外，黑矩阵32延伸以便黑矩阵32覆盖数据线4及数据线4两侧处的像素电极 24部分。例如，黑矩阵32被构造成具有VAC (视角干扰)边界D以防止VAC缺陷，该VAC缺陷是指根据观察者穿过数据线4和像素电极M之间的分开区域的视角可见到漏光。然而， 在这种情况下，孔径比降低。为了解决这些问题，提出图2所示的结构。参照图2，与像素电极重叠以形成储能电容的公共线6形成在数据线4下方。这种结构起到阻挡穿过数据线4和像素电极M之间的分开区域的漏光的作用，因而防止了 VAC缺陷。在这种情况下，黑矩阵32不需要VAC 边界(图1中的D)，因而提高了孔径比。然而，在图2的装置中，由于公共线6在数据线4的下方，公共线6和数据线4与作为电介质的栅极绝缘层13形成寄生电容。该寄生电容起电阻器的作用并导致信号延迟和电流消耗增加。因此，可靠性降低，并导致数据线断开。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种，基本上消除了由现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。本专利技术的优点是提供一种能够提高孔径比和亮度的。本专利技术的附加特征和优点将在下面描述中公开，并且一部分根据描述将是明显的，或者通过实施本专利技术是可被认识的。本专利技术的这些和其他优点将能通过这里的书面说明及其权利要求以及说明书附图特别指出的结构认识到和获得。 为了实现这些和其他优点并根据本专利技术的目的，如同这里所具体表达和广泛描述的，液晶显示装置包括阵列基板、相对基板以及在该阵列基板和该相对基板之间的液晶层。该阵列基板包括在第一基板上彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线，与栅极线平行的公共线，从该公共线延伸的第一和第二公共线图案，其中数据线在第一和第二公共线图案之间，连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管，连接到薄膜晶体管并位于像素区域的像素电极，以及位于栅极线、公共线、第一和第二公共线图案下方的无机黑矩阵，其中位于第一和第二公共线图案下方的无机黑矩阵屏蔽数据线。该相对基板包括在第二基板上的公共电极。另一方面，制造液晶显示装置的方法包括在第一基板上形成无机黑矩阵，以及在该无机黑矩阵上的栅极线、栅极电极、公共线以及第一和第二公共线图案；在栅极线、栅极电极、公共线以及第一和第二公共线图案上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层、 欧姆接触层、数据线以及源极电极和漏极电极，其中数据线在第一和第二公共线图案之间并位于无机黑矩阵上方，并且和与其交叉的栅极线限定像素区域；在源极电极和漏极电极上形成钝化层；在钝化层上形成连接到漏极电极的像素电极。应该理解的是上述的一般描述和下述的详细描述都是示范性的和说明性的，并且打算提供对所要求的本专利技术的进一步解释。附图说明附图，其被包括来提供对本专利技术的进一步理解并且被结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，说明本专利技术的实施例并且与说明书一起来解释本专利技术的原理。在附图中图1是表示现有技术的IXD装置的横截面图；图2是表示现有技术的具有防止VAC缺陷的结构的IXD装置的横截面图；图3是表示根据本专利技术实施例的IXD装置的平面图；图4是沿着图3中的IV-IV线的横截面图；以及图5A-5I是表示制造根据本专利技术实施例的LCD装置的阵列基板的方法的横截面图。具体实施例方式下面，将更详细地描述本专利技术的例示性实施例，这些实施例被图解在附图中。图3是根据本专利技术实施例的IXD装置的平面图，而图4是沿图3中的IV-IV线的横截面图。参照图3和4，IXD装置100包括阵列基板、滤色器基板和该阵列基板和该滤色器基板之间的液晶层150。在阵列基板中，栅极线102和数据线104形成在第一基板上并彼此交叉以限定像素区域P。薄膜晶体管Tr形成在栅极线102和数据线104的交叉部分。薄膜晶体管Tr包括栅极电极111、栅极绝缘层113，、半导体层115以及源极电极117和漏极电极119。像素电极IM形成在像素区域P中，并通过漏极接触孔123连接到薄膜晶体管Tr 的漏极电极119。公共线103以及第一和第二公共线图案106a和106b形成在第一基板101上。公共线103与栅极线102间隔开并与之平行。第一和第二公共线图案106a和106b从公共线 103延伸，与数据线104平行且位于数据线104的两侧。彼此重叠的公共线103和像素电极IM分别起到第一存储电极和第二存储电极的作用，形成第一存储电容MgCl。彼此重叠的第一及第二公共线图案106a和106b的每一个和像素电极1 分别起到第三存储电极和第四存储电极的作用，形成第二存储电容MgC2。无机材料制成的无机黑矩阵200形成在栅极线102、数据线104、栅极电极111、公共线103以及第一和第二公共线图案106a和10 下方。无机黑矩阵200阻挡光穿过数据线104和像素电极IM之间的区域。于是可以防止VAC (视角干扰)缺陷。因此，滤色器基板中的黑矩阵132不需要VAC边界。结果就是能够提高孔径比。此外，由于无机黑矩阵200形成在数据线104下方，因而不需要对于现有技术所描述的公共电极来防止漏光。这就防止了在数据线104和公共线103之间产生寄生电容。因此，能够防止现有技术中的信号延迟和电流消耗增加。参照图4，限定形成薄膜本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种液晶显示装置，包括：阵列基板，所述阵列基板包括：在第一基板上彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线；与所述栅极线平行的公共线；从所述公共线延伸的第一和第二公共线图案，其中所述数据线位于所述第一和第二公共线图案之间；连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管；连接到所述薄膜晶体管并在所述像素区域中的像素电极；以及在所述栅极线、公共线以及第一和第二公共线图案下方的无机黑矩阵，其中位于所述第一和第二公共线图案下方的无机黑矩阵屏蔽所述数据线；所述液晶显示装置还包括：包括在第二基板上的公共电极的相对基板；以及在所述阵列基板和所述相对基板之间的液晶层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金善宇，李载钧，吴载映，崔大正，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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