一种有源阵列液晶显示面板的基板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种有源阵列液晶显示面板的基板，所述基板的底板表面开有凹槽且在凹槽内设置有玻璃纤维，所述基板的象素电容器和开关在垂直于显示面板表面的方向上投影面积的总和小于各自实际面积之和，因此，象素的开口率大为提高；所述基板支持以光的照射控制像素开关的通断的方法，由于光信号在玻璃纤维中衰减很少，故为更大面积LCD面板的制造提供了技术支持；此外，由于象素开关可以事先在玻璃纤维上做好，LCD的其它工序不再需要高温环境，使得用塑料底板制造LCD面板成为可能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及有源阵列液晶显示面板的基板，更具体地，涉及一种象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上的投影面积的总和小于各自实际面积之和的有源阵列液晶显示面板的基板。
技术介绍
以非晶硅制造的有源阵列薄膜三极管液晶显示(Active Matrix Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,AM TFT LCD)面板是目前图像液晶显示器主流产品。 AM TFT IXD面板的主要结构是上下两片玻璃，上片玻璃主要用来产生颜色，也称CF (Color Film)玻璃，下片玻璃表面做有象素电极11和寻址电路阵列，称作TFT阵列玻璃，简称阵列玻璃，其阵列结构如图1所示，其中TFT 3是信号线1和象素电容器5之间的开关。AM TFT 液晶显示面板的工作过程如下当TFT 3的栅极(G)高电平时，源极(S)和漏极(D)之间沟道导通，电流由信号线1通过TFT3向象素电容器5充电。当栅极低电平时，S和D之间断开，象素电容器5上的电压得到保存。AM TFT IXD目前的应用非常广泛，但其也存在以下不足在TFT IXD中，由于象素电容器5和TFT3都不透明，且做在一个平面上，因此，TFT IXD的开口率比较低，高清晰度IXD的开口率甚至低过40%。在TFT IXD中，每一行的TFT3的栅极依次与行扫描线2连接在一起。受象素面积限制，行扫描线2很细，其长度过大时会引起线上累积电阻和电容太大，使行扫描速度下降，因此，TFT IXD的显示面积不能做得很大。AM TFT LCD 可由非晶硅(amorphous Silicon, a-Si)和多晶硅(poly Silicon, P-Si)两种工艺制造，由a-Si制造TFT所需环境温度约600°C，可以在普通平板玻璃上制造，但600°C温度下任何塑料都将被融化或汽化，因此，TFT不能直接做在塑料衬底上。由 P-Si制造TFT所需环境温度约1000°C，只能在石英(二氧化硅)玻璃上制造，不过石英玻璃价格昂贵，因此，P-Si TFT只用于制造小面积IXD。此外，由于a-Si的电子迁移率很低，又不适合用掺杂法做PN节，因此，除了采用高温重结晶方法在a-Si基板周围生成p-Si，并在p-Si上制作行列驱动电路外，a-Si TFT本身不能做成具有行列驱动电路的一体化LCD面板，单纯用a-Si制造的大画面高容量显示面板的性能也远低于用P-Si制造的同类显示面板的性能。
技术实现思路
本技术的目的，就是要克服现有技术的不足，提供一种有源阵列液晶显示面板的基板，该基板的象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上的投影面积的总和小于各自实际面积之和，应用该基板的LCD其开口率可以得到提高。为了实现以上目的，本技术采用以下技术方案一种有源阵列液晶显示面板的基板，包括底板、扫描线、与扫描线交叉的信号线、位于交叉点附近的象素电容器和与象素电容器串联的开关，所述象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上投影面积的总和小于各自实际面积之和。进一步地，所述底板在靠近液晶层一侧开有多条凹槽，所述凹槽内设置有玻璃纤维。为了便于玻璃纤维的生产，所述玻璃纤维的截面可以为圆形。为了跟现有工艺配合，所述玻璃纤维的截面为矩形。为了避免象素电容与象素电容器串联的开关位于同一平面而影响开口率，所述底板的凹槽壁上制作有象素电容器。进一步地，为了能够用光信号控制像素电容器的充放电，所述玻璃纤维至少于一端设置有可控的光源。为了让与象素电容器串联的开关的制造过程可以与底板分开，所述开关被制作在玻璃纤维表面，同时，为了与现有工艺兼容，所述玻璃纤维的表面制作有薄膜晶体管。进一步地，为了能够用光信号控制像素电容器的充放电，所述的玻璃纤维的表面制作有光敏电阻，所述玻璃纤维至少于一端设置有可控的光源。为了制造一体化显示面板，至少一根玻璃纤维的表面沉积有多晶硅。进一步地，为了制造p-Si AM IXD，所有的玻璃纤维的表面均沉积有多晶硅。为了跟现有工艺兼容，所述底板材质可以是玻璃。作为对传统液晶显示面板底板材质的重大突破，所述底板材质可以是塑料。与现有技术相比，本技术的有益效果在于所述基板的象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上至少有部分相互重叠，或自相重叠，避免了两者同时占用显示部分的面积，使开口率得到大幅提高；所述基板支持以光信号控制与象素电容器串联的开关，由于光信号在玻璃纤维中衰减很少，故采用玻璃纤维作为行扫描线避免了传统TFT LCD因扫描线(栅极母线) 太长积累电容、电阻增大使扫描速度下降的问题，故AM LSR LCD面板可以做的更大；所述基板中开关电路的制造可以与底板分开，故为制造塑基的IXD提供了可能；此外，将多晶硅沉积在玻璃纤维的表面后可以制作一体化AM LCD面板和p-Si面板，在p-Si面板中，由于只有玻璃纤维是石英，故使用很少量石英便可制造P-Si AM LCD显示面板，降低了生产成本。附图说明图1是现有技术所述AM TFT IXD结构示意图。图2是本技术所述AM LSR IXD结构示意图。图3是本技术所述AM TFT 一个象素的部分结构截面示意图。图4是本技术所述AM LSR—个象素的部分结构截面示意图。图5是本技术所述在玻璃纤维上制作AM LSR的流程图。图6是本技术所述在玻璃纤维上制作AM TFT的流程图。图7是本技术所述基板的结构示意图。其中1-信号线；2-扫描线；3-TFT ；4_光敏电阻(非晶硅)；5_象素电容器；6_玻璃纤维；7-液晶；8-底板；9-凹槽；10-漏光缝；11-象素电极；211-金属铬膜I ；212-金属铬膜ΙΙ，22-ΙΤ0(氧化铟锡)膜；23-绝缘层；24-象素电容器接触；25-信号线接触层。具体实施方式以下结合附图，通过以下具体实施例对本技术做出说明具体实施例1为与现行工艺兼容，本具体实施例将TFT作为象素电容器5的开关制作在底板表面，所述基板可以采用如下方法制作(1)在底板8玻璃上蚀刻出多行凹槽9，并在凹槽壁上由外到内依次沉积金属铬膜 I 211、绝缘层23、ITO膜22制成象素电容器5 ；(2)将直径与凹槽9深度相当的裸光纤6 (玻璃纤维)放入每一个凹槽9中；(3)在底板8表面沉积绝缘层23 (如SW2等)；(4)在绝缘层23表面制作栅极2后，再连续沉积绝缘层23，非晶硅层4和N+层沈并将3层蚀刻成孤岛制成TFT3，在TFT3外面覆盖一层绝缘层23。(5)在绝缘层23上沉积ITO膜22并蚀刻出信号线1和象素电极11，信号线1和象素电极11分别通过信号线接触25和象素电容接触M与N+层沈形成欧姆连接。图3是本具体实施例所述AM TFT基板一个像素部分结构的截面示意图。 利用以上方法制作的基板，其工作原理跟现行AM TFT基板相同，即TFT3是信号线 1和象素电容器5之间的开关，象素电容器5的充放电由TFT3的栅极电平控制，其创新点在于，本技术中象素电容器位于底板凹槽壁上，与TFT3所在平面的重叠，不分别占用显示面积，使象素开口率提高。为了进一步与现行工艺兼容，以上实施例中所述光纤6的截面可以是矩形。具体实施例2本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有源阵列液晶显示面板的基板，包括底板、扫描线、与扫描线交叉的信号线、位于交叉点附近的象素电容器和与象素电容器串联的开关，其特征在于，所述象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上投影面积的总和小于各自实际面积之和。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王亚平，张亚美，
申请(专利权)人：王亚平，张亚美，
类型：实用新型
国别省市：81