本实用新型专利技术是一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于：它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。它通过顶部加热器和四周侧加热器组成两个独立控制的双热场，根据硅溶体在坩埚内的长晶过程中，上中下区域所需不同的温度，两个独立的功率控制器分别调整加热器功率的输出大小，并通过长晶器温度的调节，形成晶体生长的温度梯度和热壁效应，其温度梯度的调整范围大，排杂效果好，方便优化热场，有利于晶体的生长质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种新型的多晶硅晶体生长炉，特别是一种一种多晶硅晶体生长炉加热装置。
技术介绍
多晶硅晶体生长炉是将硅原料经过加热、长晶、退火等工艺使硅定向凝固，通过控制热场的温度变化形成单方向的热流，从而形成定向的柱状晶体。目前热场的加热方式主要有两种结构，一种是一组四周加热器或四周侧加热器和顶部加热器组成的单热场结构。 在生产过程中，通过调整单组功率控制器改变热场的温度。但是硅溶体在长晶过程中，从底部到顶部的温度梯度是不一样的，尤其在晶体长到接近顶部时，要保证顶部的温度梯度，才能提高硅锭的利用率，由于单热场结构是用一个控制器进行调整，难以满足长晶全过程的不同区域的温度梯度。另一种热场是底部加热器和顶部加热器分别进行控制组成双热场结构，分别通过调整功率控制器，改变热场的上部和下部的温度，但是由于下加热器是通过长晶器对硅料进行间接加热，存在热效率不高，同时顶部加热器始终是热场的主加热源，抑制了从硅溶体表面排出凝固点低的杂质的对流，另外在硅溶体的四周无法形成热壁，固液界面呈凹形，不利于硅溶体内部杂质的排出，影响电池的转化效率。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种有利于热场形成温度梯度和硅溶体内外部杂质排出的多晶硅晶体生长炉加热装置。本技术要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的。本技术是一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特点是它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。以上所述的多晶硅晶体生长炉加热装置中，其优选的技术方案是所述的侧部加热器通过连接器固定连接，所述的侧部加热电极连接在连接器上。本技术多晶硅晶体生长炉加热装置是一种双热场结构，它通过顶部加热器和四周的侧部加热器组成两个独立控制的双热场，根据硅溶体在坩埚内的长晶过程中，上中下区域所需不同的温度，两个独立的功率控制器分别调整加热器功率的输出大小，并通过长晶器温度的调节，形成晶体生长的温度梯度和热壁效应。本技术温度梯度的调整范围大，排杂效果好，方便优化热场，有利于晶体生长的质量。附图说明图1为本技术的一种结构示意图。具体实施方式以下参照附图，进一步描述本技术的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本专利技术，而不构成对其权利的限制。实施例1。参照图1。一种多晶硅晶体生长炉加热装置，它包括由顶部加热器5和侧部加热器1，所述的顶部加热器5设在晶体生长炉的坩埚2的顶部，顶部加热器5上连接有顶部加热电极6，所述的侧部加热器1设在坩埚2的四周，侧部加热器1上连接有顶部加热电极4，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。实施例2。参照图1。一种多晶硅晶体生长炉加热装置，它包括由顶部加热器5和侧部加热器1，所述的顶部加热器5设在晶体生长炉的坩埚2的顶部，顶部加热器5上连接顶部加热电极6，所述的侧部加热器1设在坩埚2的四周，侧部加热器1通过连接器3固定连接，侧部加热电极4连接在连接器3上，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。权利要求1.一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。2.根据权利要求1所述的多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于所述的侧部加热器通过连接器固定连接，所述的侧部加热电极连接在连接器上。专利摘要本技术是一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。它通过顶部加热器和四周侧加热器组成两个独立控制的双热场，根据硅溶体在坩埚内的长晶过程中，上中下区域所需不同的温度，两个独立的功率控制器分别调整加热器功率的输出大小，并通过长晶器温度的调节，形成晶体生长的温度梯度和热壁效应，其温度梯度的调整范围大，排杂效果好，方便优化热场，有利于晶体的生长质量。文档编号C30B28/06GK202030861SQ20112002312公开日2011年11月9日 申请日期2011年1月25日 优先权日2011年1月25日专利技术者丁红波, 张元成, 张帆, 管宇骎, 管文礼, 葛江文 申请人:管文礼本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于：它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，张元成，丁红波，管宇骎，葛江文，管文礼，
申请(专利权)人：管文礼，
类型：实用新型
国别省市：32
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