半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件具有被安装到衬底内部的管芯附着区的倒装芯片型或PoP半导体管芯。该衬底具有在管芯附着区周围的接触焊盘区和在管芯附着区与接触焊盘区之间的流动控制区。第一沟渠形成在流动控制区内的衬底的表面中。第一沟渠在管芯附着区外围周围延伸。第一坝材料被形成得邻近流动控制区内的第一沟渠。底部填充材料被沉积在管芯和衬底之间。第一沟渠和第一坝材料控制底部填充材料向外流以防止过多的底部填充材料覆盖接触焊盘区。第二沟渠可以被形成得邻近第一坝材料。第二坝材料可以被形成得邻近第一沟渠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体器件，并且更具体地说涉及半导体器件和在衬底上的管芯附着区周围形成相邻沟渠(channel)和坝材料以控制过多的底部填充材料向外流的方法。
技术介绍
在现代电子产品中通常会发现有半导体器件。半导体器件在电部件的数量和密度上有变化。分立的半导体器件一般包括一种电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、 电阻器、电容器、电感器、以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。集成半导体器件通常包括数百到数百万的电部件。集成半导体器件的实例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CXD )、太阳能电池、以及数字微镜器件(DMD )。半导体器件执行多种功能，例如高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、 将日光转换成电、以及为电视显示器生成可视投影。在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机、 以及消费品领域中有半导体器件的存在。在军事应用、航空、汽车、工业控制器、以及办公设备中也有半导体器件的存在。半导体器件利用半导体材料的电特性。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基极电流(base current)或者通过掺杂工艺来操纵(manipulated)它的导本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有在衬底内部的管芯附着区和在管芯附着区周围的接触焊盘区以及在衬底表面上在管芯附着区和接触焊盘区之间的流动控制区；在流动控制区内的衬底的表面中形成第一沟渠，第一沟渠在管芯附着区的外围周围延伸；在流动控制区内形成邻近第一沟渠的第一坝材料；将半导体管芯安装到衬底的管芯附着区；以及在半导体管芯和衬底之间沉积底部填充材料，其中第一沟渠和第一坝材料控制底部填充材料向外流以防止过多的底部填充材料覆盖接触焊盘区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K·李，K·杨，J·金，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，星科金朋上海有限公司，
类型：发明
国别省市：SG