【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种新结构光伏电池。
技术介绍
采用半导体技术将太阳能转化为电能是太阳能利用最直接的方式与途径。虽然晶体硅太阳电池已被大量使用，但目前仍然为不甚重要的补充能源。为使光伏发电成为人类未来获取电力的主要方式，关键在于光伏发电的成本要与常规能源相当。提高太阳电池的转换效率，是降低光伏发电成本的重要途径。但是，常规电池都有一个共同点吸收层材料只有一种电子跃迁方式(单能隙 Eg\因此，光子能量h υ 的太阳光不能被吸收；光子能量h υ ，超过能隙 的多余能量以热能化形式散失掉。可见，这类太阳电池只能利用太阳光部分波段的辐射能，以单晶硅太阳电池为例，光学损失高达53%。在Shockley-Queisser限制下(见Shockley W, Queisser H J. J Appl Phys, 1961，32: 510)，通过细致平衡模型可计算出这类电池在理想状态下的最高效率不超过30%。追根溯源，是因为采用单一能隙材料来转换较宽范围光谱的太阳光。实际上，把Siockley-Queisser限制作为计算太阳电池理论转换效率不是很...
【技术保护点】
１．一种ＩＩ－ＶＩ族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，结构为：衬底／ＺｎＳｅ基ＰＩＮ结构的功能层／过渡层／电极，其特征是：这种太阳电池的吸收层为掺氧含量比较低的ＺｎＳｅ，即ＺｎＳｅ１－ｘＯｘ，０＜ｘ＜０．１。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李卫，冯良桓，张静全，武莉莉，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90
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