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一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法技术

技术编号:6618121 阅读:261 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,由玻璃衬底、透明导电膜、P1-I1-N1非晶硅电池、P2-I2-N2微晶硅电池、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层、ZnO层、Al层、EVA层和背板玻璃组成并依次组成叠层结构,其中以P1-I1-N1非晶硅电池作为顶电池,以P2-I2-N2微晶硅电池作为底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。本发明专利技术的优点:存放在大气中的非晶硅顶电池在制备微晶硅底电池前,用H或Ar等离子体处理顶电池n层,可消除n层表面同大气中的氧气反应生成SiOx层;该制备工艺简单、易于控制、产品优良率高、电池转换效率高,可方便移植到现有的硅基薄膜电池生产线上,产品升级换代成本低,有利于推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基薄膜太阳电池制备技术,具体而言是。
技术介绍
太阳能是用之不竭的可再生能源,对环境保护具有十分重要的意义,太阳能的有效利用已经成为人类的共识。太阳能的利用,尤其是光伏发电技术,是最有希望的可再生能源技术。太阳能电池发电具有安全可靠、无污染、无需消耗燃料、可再生、无机械转动部件等独特优点,尤其是可与建筑物相结合,构成光伏屋顶发电系统,已经成为可再生能源中最重要的组成部分,也是近年来发展最快,最具活力、最受瞩目的研究领域,国际上许多国家都把太阳能光伏发电的商业化开发和利用作为重要的发展方向。硅基薄膜太阳电池除了具有节省原材料、耗能低、成本低、易于大面积生产的优势外,还有着原材料丰富、无污染等优点。非晶硅太阳电池由于具有光致衰退效应,因而限制了其应用。微晶硅太阳电池的材料有序性得到提高,衰退很小,并且和非晶硅结合可以有效的扩展光谱响应范围,提高电池光电转换效率,降低电池成本。现有非晶硅薄膜太阳电池已实现产业化,考虑到进一步提高硅基薄膜电池效率和降低成本,非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究具有很重要的意义。但是,对于现有的大部分非晶硅太阳电池生产线技术升级到非晶硅/微晶硅叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,其特征在于:由玻璃衬底、透明导电膜TCO、p型非晶硅窗口层P1、非晶硅本征层I1、n型非晶硅层N1、高电导率和高晶化率的n型微晶硅层N1+、p型微晶硅层P2、微晶硅本征层I2、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层和背板玻璃层组成并依次组成叠层结构,其中以P1-I1-N1非晶硅电池作为叠层电池的顶电池,以P2-I2-N2微晶硅电池作为叠层电池的底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔
申请(专利权)人:南开大学
类型:发明
国别省市:12

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