一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池制造技术

本发明专利技术为一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池。其光热稳定性好，转换效率高，稳定性、可靠性较好，生产成本低。其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层（１），底层（１）设置有ＰＩＮ结构，所述ＰＩＮ结构包括导电膜（２），在导电膜（２）上生长一层掺硼的Ｐ型非晶硅薄膜（３），改变薄膜的晶态比值χｃ制成变带隙纳米硅缓冲层（４），在变带隙缓冲层（４）上通以磷烷（ＰＮ↓［３］）生长一层Ｎ型纳米硅薄膜（５），硅薄膜（５）上覆盖电极Ａｇ／Ａｌ，其特征在于：变带隙纳米硅缓冲层（４）的晶态比值χｃ为４０－５３，所述ＰＩＮ结构叠加，位于最底层的ＰＩＮ结构导电膜（２）覆盖于底层（１），电极Ａｇ／Ａｌ覆盖于位于最顶层的ＰＩＮ结构的硅薄膜（５）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体为一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能 电池。(二)
技术介绍
目前在太阳能电池的制造中，以晶体硅和多晶硅为基材的产品为主导，其市场的占有率约为80%左右，硅材料是目前太阳能电池的主要原材，在电池的成 本份额中，硅材料占了将近40%，由于其基材价格的昂贵，生产成本高，影响到 太阳能电池的发展。近些年发展的非晶硅薄膜太阳能电池，它用玻璃、钢板和有机薄膜作为衬 底，其非晶硅的膜厚l ym，还不到晶体硅电池厚度的1/100，大大降低了制造 成本，并能制成较大面积产品的优点，但是非晶硅太阳能电池其光热稳定性(s 一W效应)差，其转换效率ri值比晶体硅太阳能电池低了许多，其产品的稳定性 和可靠性也较差，因此限制了非晶硅薄膜太阳能电池的发展前景。(三)
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池，其光 热稳定性好，转换效率高，稳定性、可靠性较好，生产成本低。其技术方案是这样的其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层l，底层l 设置有PIN结构，所述PIN结构包括导电膜2，在导电膜2上生长一层掺硼的P 型非晶硅薄膜3，改变薄膜的晶态比值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池，其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层（１），底层（１）设置有ＰＩＮ结构，所述ＰＩＮ结构包括导电膜（２），在导电膜（２）上生长一层掺硼的Ｐ型非晶硅薄膜（３），改变薄膜的晶态比值χｃ制成变带隙纳米硅缓冲层（４），在变带隙缓冲层（４）上通以磷烷（ＰＮ↓［３］）生长一层Ｎ型纳米硅薄膜（５），硅薄膜（５）上覆盖电极Ａｇ／Ａｌ，其特征在于：变带隙纳米硅缓冲层（４）的晶态比值χｃ为４０－５３，所述ＰＩＮ结构叠加，位于最底层的ＰＩＮ结构导电膜（２）覆盖于底层（１），电极Ａｇ／Ａｌ覆盖于位于最顶层的ＰＩＮ结构的硅薄膜（５）。

【技术特征摘要】
1. 一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池，其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1)，底层(1)设置有PIN结构，所述PIN结构包括导电膜(2)，在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3)，改变薄膜的晶态比值χc制成变带隙纳米硅缓冲层(4)，在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN3)生长一层N型纳米硅薄膜(5)，硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王树娟，何宇亮，
申请(专利权)人：无锡市纳微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]