本实用新型涉及一种纳米硅微波开关二极管，是以低电阻率单晶硅为基片，在其上方沉积一层掺杂纳米硅薄膜，构成纳米硅／单晶硅异质结构。该纳米硅微波开关二极管具有优越的伏一安特性，击穿电压Ｖ↓［ｂ］为３０～７０伏，反向漏电流Ｉ↓［ｒ］仅为纳安（ｎ...

本实用新型公开了一种纳米硅肖特基二极管，它是以低电阻率单晶硅为基片，在其上沉积一层掺杂纳米硅薄膜，在纳米硅薄膜上有多层金属膜。本实用新型的产品温度稳定性好，可在～２５０℃高温下正常使用；在击穿之前，反向漏电流仅为纳安（ｎＡ）量级并具有极...

本实用新型公开了一种纳米硅太阳能薄膜电池，它由玻璃和单晶硅底层、依次设置在底层上的导电膜、非晶硅薄膜、Ｎ型纳米硅薄膜和透明金属电极及梳状电极等组成，其主要特征是非晶硅薄膜层与Ｎ型纳米硅薄膜层间增设有变能隙纳米层。透明金属电极及梳状电极与...

本发明公开了一种纳米硅薄膜，其采用等离子化学汽相沉积法，在ＰＥＣＶＤ设备中生长制备，产品的晶粒大小为ｄ＝（２～６）纳米，晶态体积百分比Ｘｃ＝（５３±５）％，薄膜最高电导率为σ↓［ｒｔ］＝３０Ω↑［－１］.ｃｍ↑［－１］，薄膜中电子迁移率...

本实用新型公开了一种高灵敏压力传感器，它由壳体、硅杯、进气口和引线组成，其主要特征是硅杯上覆盖有硅膜片，硅膜片上设有氧化层，硅杯下部的高压腔与进气口连通，氧化层上设有纳米硅力敏电阻，本实用新型灵敏性高，稳定性好，温度范围宽，可广泛使用于...

本发明公开了一种器件级纳米硅薄膜及其制备工艺，本发明产品是采用等离子体化学汽相沉积法在ＶＨＦ－ＣＶＤ设备中生长制备的。产品中的晶粒大小为ｄ＝（２～８）纳米，晶态体积百分比Ｘｃ＝（５３±５）％，薄膜电导率为σ＃－［ｒｔ］＝（３０－８０）Ω...