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一种纳米硅太阳能薄膜电池制造技术

技术编号:3226484 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种纳米硅太阳能薄膜电池,它由玻璃和单晶硅底层、依次设置在底层上的导电膜、非晶硅薄膜、N型纳米硅薄膜和透明金属电极及梳状电极等组成,其主要特征是非晶硅薄膜层与N型纳米硅薄膜层间增设有变能隙纳米层。透明金属电极及梳状电极与N型纳米硅薄膜层间增设有非晶硅薄膜层。本实用新型专利技术生产成本低廉,可有效克服非晶硅薄膜太阳能电池工作时难以克服的不稳定性,提高转换效率η值。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种将太阳光转变为电能的装置,具体地说涉及 一种多层非晶硅薄膜结构的太阳能电池的改进。 技术背景目前在太阳能电池制造业中,晶体硅和多晶体硅为基材的产品依 然占主导地位,其市场占有率约为80%以上。由于其基材价格昂贵, 生产成本高,成为太阳能电池发展推广的重大障碍。改进后的以非晶 体硅薄膜为主体的薄膜型太阳能电池,它可以用玻璃为衬底,具有制 作成本低,并能制成较大面积产品的优点,但光热稳定性(S—W效 应)差,转换效率n值低,稳定性也差,因此大大限制了非晶体硅薄 膜电池的发展应用。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是克服已有非晶硅薄膜型太阳能电池的 上述缺点,提供一种光热稳定性(S—W效应)好,转换效率il值高, 稳定性好,生产成本低的纳米硅薄膜太阳能电池。本技术包括底层(1 )、依次设置在底层(1 )上的导电膜(2)、 非晶硅薄膜(3)、 N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极 (7),在非晶硅薄膜(3)和N型纳米硅薄膜(5)之间增设有变能 隙纳米膜(4), N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)之间增设有非晶硅薄膜(6)。本技术进一步的技术特征为非晶碓薄膜(6)的厚度可为 50-100nm。 N型纳米硅薄膜(5)的晶粒大小可为2-8nm。底层(1) 为玻璃和单晶硅层。由于本技术增设有变能隙纳米膜层和非晶硅薄腆纯化保护 层,能有效提高太阳能电池的转换效率n值,光热稳定性(S—W效 应)好,生产成本低,使用寿命长。附图说明附图1为本技术实施例结构示意图。 以下结合实施例及其制作进一步描述本技术。 参见附图1,底层(1)为玻璃和单晶硅层,底层(1)上镀有导 电膜(2),再使用PECVD薄膜沉积技术在导电膜(2)上生长一层 掺硼的P型非晶硅薄膜或纳米硅薄膜(3),然后改变工艺条件,改变 薄膜晶态比值Xc,在导电膜(3)上沉积一展变能隙纳米膜(4),再 在变能隙纳米膜(4)上用同一PECVD系统,通入磷垸(PN3)生长 一层N型纳米硅薄膜(5),再在该层上继续生长一层非晶硅薄膜(6), 作为对整个装置工作层的纯化保护,非晶硅薄膜(6)表层设置透明 金属电极及梳状电极(7),完成本技术的全部结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米硅太阳能薄膜电池,包括底层(1),依次设置在底层(1)上的导电膜(2)、非晶硅薄膜(3)、N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7),其特征为非晶硅薄膜(3)和N型纳米硅薄膜(5)之间设有变能隙纳米膜(4),N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)之间设有非晶硅薄膜(6)。

【技术特征摘要】
1、一种纳米硅太阳能薄膜电池,包括底层(1),依次设置在底层(1)上的导电膜(2)、非晶硅薄膜(3)、N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7),其特征为非晶硅薄膜(3)和N型纳米硅薄膜(5)之间设有变能隙纳米膜(4),N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)之间设有非晶硅薄膜(6)...

【专利技术属性】
技术研发人员:何宇亮王树娟
申请(专利权)人:何宇亮王树娟
类型:实用新型
国别省市:84[中国|南京]

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