【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种小型固态压力传感器的改进。技术背景己有的固态传感器，无论是单晶硅、多晶硅，还是非晶硅压力传感器压力灵敏度和恒定性较差，使用温度范围窄，最佳工作温度通常仅在80-100℃。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是克服上述已有技术的缺点，提供一种灵敏度高， 最佳工作温度范围宽，使用寿命长的高灵敏压力传感器。本技术由壳体(1)、壳体(1)内的硅杯(3)、壳体(1)下部的进气 口 (2)和硅杯(3)连接的引线(4)组成，硅杯(3)上部覆盖有硅膜片(5)， 硅杯(3)下部的高压腔(6)与进气口 (2)相连通，硅杯(3)上方为低压腔 (7)，硅膜片(5)上设有氧化层(8)，氧化层(8)上设有纳米力敏电阻(9)。本技术的优点是灵敏性和稳定性高，温度范围宽，可广泛使用于汽车、 探矿及军事工程。附图说明附图l为本技术结构示意图。图中1——壳体，2——进气口， 3——硅杯，4——引线，5——硅膜片， 6——高压腔，7——低压腔，8——氧化层，9——纳米硅力敏电阻。具体实施方式参照附图1，硅杯(3)为环形，位于壳体(1)内腔，左右两侧连接引线(4)， 硅杯(3)上口覆盖有呈正方形的硅膜片(5)，氧化层(8)位于硅膜片(5)上， 纳米硅力敏电阻(9)分布在硅膜片(5)上部氧化层(8)的四周边缘，共设2 对， 一对纵向设置，另一对呈切面设置，从而构成惠灵顿应变电桥。硅杯(3) 上方为低压腔(7)，下部经进气口 (2)与高压腔(6)连通。权利要求1、一种高灵敏压力传感器，包含有壳体(1)、壳体(1)内的硅杯(3)、壳体(1)下部的进气口(2)和与硅杯(3)连接的引线(4...
【技术保护点】
一种高灵敏压力传感器，包含有壳体（１）、壳体（１）内的硅杯（３）、壳体（１）下部的进气口（２）和与硅杯（３）连接的引线（４），其特征在于硅杯（３）上部覆盖有硅膜片（５），硅杯（３）下部的高压腔（６）与进气口（２）连通，硅杯（３）的上方为低压腔（７），硅膜片（５）的上部设有氧化层（８），氧化层（８）上设有纳米硅力敏电阻（９）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何宇亮，王树娟，
申请(专利权)人：何宇亮，王树娟，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]
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