高灵敏SiC压力传感器制造技术

一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将C纸浸泡在Co(NO3)2乙醇溶液中，引入催化剂，自然晾干备用；(2)将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中，引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛烧结炉中于1350～1450℃进行高温热解，在5％N2和95％Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1～3小时，实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。(3)将n型SiC纳米线超声分散后滴洒在石墨片上，在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明专利技术所制备的SiC压力传感器不仅能够实现nN量级力的检测，而且能够实现pA量级电信号的反馈，具有更高的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：1)材料制备：将C纸浸泡在Co(NO3)2乙醇溶液中，自然晾干后引入催化剂。将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中，引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛烧结炉中于1350～1450℃进行高温热解，在5％N2和95％Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1～3小时，实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。2)压力传感器构建：将n型SiC纳米线超声分散在乙醇中，然后滴洒在石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨为佑，毕精会，尉国栋，王霖，高凤梅，郑金桔，
申请(专利权)人：宁波工程学院，
类型：发明
国别省市：