纳米硅肖特基二极管制造技术

本发明专利技术为纳米硅肖特基二极管。其在高温下稳定性好，反向漏电程度轻，噪音系数低，伏安特性较好。其特征在于：其包括低电阻率单晶基片，所述基片上覆盖二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层设置有窗口，在所述窗口上沉积有掺杂的纳米硅薄膜，所述纳米硅薄膜上覆盖金属膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管
，具体为纳米硅肖特基二极管。(二)
技术介绍
肖特基二极管(SchoUkey. diode)是在金属和半导体表面形成表面势垒， 并利用其特性制成的二极管。它的器件结构和整流特性完全不同于通常的P-N 结二极管。当肖特基二极管处于正向导通时，电子从n型半导体一边流向金属， 这时电子是多数载流子，当它注入金属后不存在所谓少数载流子积累(象通常 P-N结中那样)，不会发生在接触势垒两边电荷的存贮，从而使它的开关时间远 比一般二极管要快。而现有肖特基二极管的缺点就是其只能在200摄氏度的条 件下工作，不耐高温，其反向漏电为微安级的，噪音系数高，工作伏安特性不 够理想，开关时间超过2ns。(三)
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种纳米硅肖特基二极管，其在高温下稳定 性好，反向漏电程度轻，噪音系数低，伏安特性较好。 其技术方案是这样的-其特征在于其包括低电阻率单晶基片，所述基片上覆盖二氧化硅薄膜层， 所述二氧化硅薄膜层设置有窗口，在所述窗口上沉积有掺杂的纳米硅薄膜，所 述纳米硅薄膜上覆盖金属膜。其进一步特征在于所述金属膜可以为钛膜、铂膜、钨膜或者为钛、铂、钨的混合物膜；所述掺杂的纳米硅薄膜中掺杂磷、硼或砷；所述纳米硅薄膜的 厚度为3纳米 6纳米；所述二氧化硅薄膜层的厚度为1微米；所述窗口的面积 为300X300um2。本专利技术的上述结构中，纳米硅肖特基二极管，以低电阻率单晶为基片，在其 上沉积一层掺杂纳米硅薄膜，与现有技术相比具有以下优点温度稳定性好， 可在25(TC 30(TC高温下正常工作；反向漏电为(nA)量级，并具有极低的噪音系数，击穿为硬击穿；开关时间T《2ns.远低于目前市场上单晶硅肖特基二 极管。(四) 附图说明 图l是本专利技术的示意图。(五) 具体实施例方式见图1，本专利技术包括低电阻率单晶基片1，基片1上覆盖二氧化硅薄膜层2， 二氧化硅薄膜层2设置有窗口，在窗口上覆盖有掺杂的纳米硅薄膜3，纳米硅薄 膜3上覆盖金属膜4。金属膜4可以为钛膜、铂膜、钨膜或者为钛、铂、钨的混 合物膜；掺杂的纳米硅薄膜3中掺杂磷、硼或砷；纳米硅薄膜3的厚度为3纳 米 6纳米；二氧化硅薄膜层的厚度为1微米；窗口的面积为300X300um2。本专利技术的纳米硅肖特基二极管的器件结构及生产方法如下1、 以N型低电阻率C一Si为基片，(4寸片)用半导体平面工艺热氧化法生成1微米左右的二氧化硅绝缘层；2、 用平面光刻技术，刻出一排一排小窗口约300X300300X300um左右; 3 、使用P E C V D薄膜沉积技术在窗口上沉积3纳米 6纳米纳米硅掺杂膜，按产品要求控制掺杂浓度；4、 用平面光刻技术除去窗口外的纳米硅薄膜，留下窗口内的纳米硅薄膜;5、 使用镀膜技术，在纳米硅上镀上多层或单层金属；6 、用平面工艺进行表面钝化保护如Si3N，然后在大约450'C温度下进行热 处理使之形成肖特基结(金属一半导体结)；7、 使用平面工艺蒸发背电极形成欧姆接触；8、 切片，压焊电极，封装、完成器件结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
纳米硅肖特基二极管，其特征在于：其包括低电阻率单晶基片，所述基片上覆盖二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层设置有窗口，在所述窗口上沉积有掺杂的纳米硅薄膜，所述纳米硅薄膜上覆盖金属膜。

【技术特征摘要】
1. 纳米硅肖特基二极管，其特征在于其包括低电阻率单晶基片，所述基片上覆盖二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层设置有窗口，在所述窗口上沉积有掺杂的纳米硅薄膜，所述纳米硅薄膜上覆盖金属膜。2、 根据权利要求l所述纳米硅肖特基二极管，其特征在于所述金属膜可 以为钛膜、铂膜、钨膜或者为钛、钼、钨的混合物膜。3、 根据权利要求l所述纳米硅肖特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王树娟，何宇亮，
申请(专利权)人：无锡市纳微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]