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一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池属于新结构的光伏电池。其要点是采用一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜（三带隙材料）作为吸收层，这种稀释氧化物半导体薄膜为掺氧含量比较低的ZnSe（ZnSeO），即ZnSe1-xOx，0＜x＜0....
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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