一种具有减反射膜的大面积硅基薄膜太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种具有减反射膜的大面积硅基薄膜太阳电池及其制备方法，电池结构为减反射膜/玻璃/TCO/p/i/n/TCO/Al，通过在光伏玻璃上采用溶胶凝胶的方法制备一层减反射膜，与电池的前电极TCO薄膜相结合获得双层减反的效果，使得太阳电池对入射光的吸收增强，有利于提高太阳电池的光电转换效率；另外，本发明专利技术采用的方法简单易行，可在大面积上获得性质均匀的减反射膜，有利于在产业化的硅基薄膜太阳电池的生产中获得应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能光伏
，涉及太阳能电池，特别是一种具有减反射膜的 大面积硅基薄膜太阳电池及其制备方法。
技术介绍
随着经济的飞速发展，人们对能源的需求量也越来越大，现代社会使用的常规能 源如煤、石油和天然气，不仅储量有限而且在自然界分布不均，还存在严重的污染环境等问 题，这一经济的资源载体将在21世纪中期接近枯竭，能源危机迟早会发生，因此利用可再 生能源，特别是太阳能是解决问题的有效途径，其中利用光伏效应开发的太阳能电池得到 了越来越广泛的研究与应用，充分开发利用太阳能已成为世界各国政府可持续发展能源的 战略决策。国际上太阳能电池的研究和生产，大致可以分为三个阶段，分别为晶体硅太阳能 电池、薄膜太阳能电池及新型太阳能电池。第一阶段的太阳能电池以单晶硅、多晶硅太阳能电池为代表，具有较高的转换效 率，目前占据主要的市场份额，但同时存在高能耗、高成本的问题，难以与传统能源相抗衡。第二阶段的太阳能电池为薄膜太阳能电池，目前已成功研发的薄膜太阳能电池包 括硅基薄膜电池、铜铟鎵硒系列薄膜电池、碲化镉系列薄膜电池、III-V族系列薄膜电池 等，其中硅基薄膜太阳电池具有成本低、可以使用玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有减反射膜的大面积硅基薄膜太阳电池，其特征在于：电池结构自上而下分别为减反射膜层、玻璃衬底层、前电极ＴＣＯ层、ｐ层、ｉ层、ｎ层、背电极ＴＣＯ层及Ａｌ电极层，其中，减反射膜层为ＳｉＯ２薄膜，厚度在４００～１０００ｎｍ之间，折射率在１．１～１．４范围内可调。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹丽冉，汪洋，张亚萍，
申请(专利权)人：天津市津能电池科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12