一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法技术

本发明专利技术涉及一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法，修复方法是：首先对子电池按所测电压进行分档，每0.5V为一档；打开稳压电源，将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处，正负表笔与电池正负极相反，调节稳压电压，施加电压范围3-6V。本发明专利技术在装有稳定光源的平台上通过测试其光照下的子电池开路电压确定激光刻划效果，按不同的刻划程度进行采用两种方法分别进行修复，该修复方法更有针对性，定位更准确，治愈效果更佳，是非晶硅太阳电池生产及研发过程中重要的质量保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能光伏
，涉及非晶硅太阳电池，尤其是一种非晶硅太阳 电池激光刻划修复方法。
技术介绍
太阳电池是一种利用“光伏效应”原理直接将太阳能转化为电能的半导体光伏器 件，非晶硅太阳电池是一种薄膜电池，在实际生产工艺中需要经过激光刻划形成内部的串 联从而形成组件，如图1所示。其中第三条AL刻划线起到分割子电池的作用，工艺要求较 高。但在实际生产中却易受环境影响，往往造成一些质量缺陷，如存在刻划线未断点、刻划 后存在残渣等问题，这些原因都会形成子电池短路通道，降低电池的并联电阻，从而影响到 电池的开路电压和功率。因此对存在质量问题的电池进行有效治疗将大大提高电池的性 能，是生产环节中重要的一环。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种非晶硅太阳电池激光刻划测试 修复的方法。本专利技术解决其技术问题是采取以下技术方案实现的，修复方法是首先对子电池按所测电压 进行分档，每0. 5V为一档；打开稳压电源，将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值 处，正负表笔与电池正负极相反，调节稳压电压，施加电压范围3-6V。而且，对子电池所测电压的测试方法为(1)将电池板平置于测试平台上，打开稳定光源；(2)将万用表置于直流电压档，两表笔分别接在各子电池上，先从左侧进行测试；(3)记录所测电压值；(4)再从右侧进行测试，记录所测电压值。(5)比较同侧和异侧测试结果，数据明显较小的子电池判断为AL激光刻划需要修复。而且，对于所测电压比正常电压低50%以上的子电池，需再重新刻划一次AL刻划 线，该操作应在激光刻划操作平台上进行，而且此线位于第一条AL刻划线间隔的右侧。本专利技术的优点和积极效果是1、本方法针对不同的激光刻划效果采用分类修复，一是对于存在严重刻划质量缺 陷的电池板需要对第三条刻划线进行非原位重新刻划；二是对于子电池电压稍低与正常水 平的情况进行电治疗，电治疗时需在子电池两端施加反向电压，电治疗所用仪器为可调节 的稳压电源。2、本专利技术采用的电治疗方法，在对子电池进行电治疗时首先要确定该条子电池电 压最小点处，在最小点处施加某一数值反向电压，而不是简单的将电压加于该条子电池末端处，这样修复定位更准，治愈效果更好。3、本专利技术在装有稳定光源的平台上通过测试其光照下的子电池开路电压确定激 光刻划效果，按不同的刻划程度进行采用两种方法分别进行修复，该修复方法更有针对性， 定位更准确，治愈效果更佳，是非晶硅太阳电池生产及研发过程中重要的质量保障。4、本专利技术采用分类修复和子电池单条修复方法，简单有效，既提高了不同情况修 复的针对性，又提高了单条子电池修复的可靠性，修复后电池性能可显著提高，从而大大提 高生产中产品的合格率。附图说明图1为本专利技术太阳电池内部串联示意图；图2为本专利技术测试及修复平台结构主视图；图3为图2的侧视图。具体实施例方式下面通过具体实施例对本专利技术作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限 定性的，不能以此限定本专利技术的保护范围。图1所示的非晶硅太阳电池的内部串联结构示意图，三条激光刻划线分别为图1 中TCO刻划线l、Si刻划线2和AL刻划线3，其中第三条AL刻划线的刻划效果对电池板性 能影响比较大，易造成子电池之间短路、子电池开路电压降低，从而直接影响到整个电池的 性能，因此修复主要针对该条划线。下面结合图2、图3来说明本专利技术的对AL刻划线的测试 及修复方法。测试步骤如下(1)将电池板8平置于测试平台5上，打开稳定光源6 ；(2)将万用表7置于直流电压档，两表笔分别接在各子电池9上，先从左侧进行测 试；(3)记录所测电压值；(4)再从右侧进行测试，记录所测电压值。(5)比较同侧和异侧测试结果，数据明显较小的子电池可判断为AL激光刻划有问 题，对有问题的子电池从左侧到右侧选取一定步长将整条子电池进行测试找到最小电压点 处。测试完毕后通过结果分析，将所测电压比正常电压低50%以上的子电池，由于刻 划质量严重缺陷需再重新刻划一次AL线，该操作应在激光刻划操作平台上进行，而且此线 位于第一条AL刻划线3的右侧即刻划线4，不与原线重合，因为第一条线融熔冷却后的残渣 不易再一次刻断，影响修复效果。对于可进行电治疗的情况，测试完子电池电压后关掉光源进行修复。修复方法 为首先对子电池按所测电压进行分档，每0. 5V为一档。打开稳压电源10，将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处，正负表笔应 与电池正负极相反，即所加为反向电压，调节稳压电压，施加电压范围3-6V。定位准确治愈 效果才更显著。权利要求1.，其特征在于修复方法是首先对子电池 按所测电压进行分档，每0. 5V为一档；打开稳压电源，将稳压源正负接头分别置于子电池 电压最小值处，正负表笔与电池正负极相反，调节稳压电压，施加电压范围3-6V。2.根据权利要求1所述的非晶硅太阳电池激光刻划修复方法，其特征在于对子电池 所测电压的测试方法为(1)将电池板平置于测试平台上，打开稳定光源；(2)将万用表置于直流电压档，两表笔分别接在各子电池上，先从左侧进行测试；(3)记录所测电压值；(4)再从右侧进行测试，记录所测电压值。(5)比较同侧和异侧测试结果，数据明显较小的子电池判断为AL激光刻划需要修复。3.根据权利要求1所述的非晶硅太阳电池激光刻划修复方法，其特征在于对于所测 电压比正常电压低50%以上的子电池，需再重新刻划一次AL刻划线，该操作应在激光刻划 操作平台上进行，而且此线位于第一条AL刻划线间隔的右侧。全文摘要本专利技术涉及，修复方法是首先对子电池按所测电压进行分档，每0.5V为一档；打开稳压电源，将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处，正负表笔与电池正负极相反，调节稳压电压，施加电压范围3-6V。本专利技术在装有稳定光源的平台上通过测试其光照下的子电池开路电压确定激光刻划效果，按不同的刻划程度进行采用两种方法分别进行修复，该修复方法更有针对性，定位更准确，治愈效果更佳，是非晶硅太阳电池生产及研发过程中重要的质量保障。文档编号G01R31/36GK102148293SQ20101058717公开日2011年8月10日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日专利技术者张亚萍, 张鑫 申请人:天津市津能电池科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种非晶硅太阳电池激光刻划修复方法，其特征在于：修复方法是：首先对子电池按所测电压进行分档，每０．５Ｖ为一档；打开稳压电源，将稳压源正负接头分别置于子电池电压最小值处，正负表笔与电池正负极相反，调节稳压电压，施加电压范围３－６Ｖ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚萍，张鑫，
申请(专利权)人：天津市津能电池科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12