【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅基介质膜的制备方法，首先选取Ｐ型或Ｎ型硅片或以在高温衬底上沉积的非晶或微晶硅或硅锗片作为硅基衬底，所述的硅基衬底需经过标准的ＲＣＡ清洗，或经制绒清洗，或在清洁的硅片上沉积氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，其特征在于，对于制备含Ⅲ族氮化物的ＳｉＮ薄膜，所述的制备方法还包括以下工艺步骤：（１）掺杂Ⅲ族元素：对所述的硅基衬底或硼或镓或铟高温掺杂，然后使用ＨＦ清洗表面富含或硼或镓或铟的玻璃；（２）阳极氮化：将步骤（１）制备得到的硅基衬底置于阳极氮化设备的电极阳极端，使所述硅片在导电溶剂为肼或肼的衍生物的导电溶液中通电反应２～６００ｍｉｎ；电极阴极选用不与导电溶液反应的任何导电电极或硅片，之后，将所制备的产物吹干，此时所得即为含Ⅲ族氮化物的ＳｉＮ薄膜；（３）退火：将步骤（２）制得的复合膜在Ｎ↓［２］或Ａｒ气氛，或在Ｎ↓［２］或Ａｒ气氛中再加入Ｈ↓［２］或ＮＨ↓［３］气体氛围的烧结炉或真空退火炉中，在２００℃－１３００℃下退火，即可得到所述的薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，王文静，周春兰，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。