一种单晶直拉中使用的籽晶制造技术

技术编号:6756217 阅读:209 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种单晶直拉中使用的籽晶,该籽晶的形状呈上宽下窄、上短下长。采用本实用新型专利技术,可用环形钼销代替棒形钼销套住籽晶棒,提高了籽晶棒的受力均匀度和同心度,避免籽晶棒产生物理上的薄弱部位,减少籽晶棒断裂的概率,避免发生拉晶事故。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单晶直拉中使用的籽晶
技术介绍
在单晶直拉过程中,需要用籽晶对单晶炉内真空环境下的多晶硅熔液进行引晶, 使多晶硅熔液中杂乱无序的晶硅分子在籽晶有序的晶硅分子引导下按规则排序,结晶成有序的单晶硅晶体。当前,行业中的籽晶一般是在距晶棒的上端处开一个浅浅的新月型缺口, 用于钼销穿过,并作为提拉晶棒时的力的支撑部位。但钼销穿过这种新月型缺口是局部受力并支撑提拉晶棒的重量,容易造成籽晶棒断裂,产生拉晶事故。
技术实现思路
本技术的目的是提供不易断裂的一种单晶直拉中使用的籽晶。本技术采取的技术方案是一种单晶直拉中使用的籽晶,其特征在于籽晶的形状呈上宽下窄、上短下长。采用本技术,可用环形钼销代替棒形钼销套住籽晶棒,提高了籽晶棒的受力均勻度和同心度,避免籽晶棒产生物理上的薄弱部位,减少籽晶棒断裂的概率,避免发生拉晶事故。附图说明图1是本技术的示意图。图中序号表示籽晶棒1。具体实施方式下面结合具体的实施例对本技术作进一步说明。参照图1,该籽晶棒1呈上宽下窄、上短下长的形状。使用时,可用环形钼销代替棒形钼销套住籽晶棒,提高了籽晶棒的受力均勻度和同心度,避免籽晶棒产生物理上的薄弱部位,减少籽晶棒断裂的概率,避免发生拉晶事故。权利要求1. 一种单晶直拉中使用的籽晶,其特征在于籽晶的形状呈上宽下窄、上短下长。专利摘要本技术涉及一种单晶直拉中使用的籽晶,该籽晶的形状呈上宽下窄、上短下长。采用本技术,可用环形钼销代替棒形钼销套住籽晶棒,提高了籽晶棒的受力均匀度和同心度,避免籽晶棒产生物理上的薄弱部位,减少籽晶棒断裂的概率,避免发生拉晶事故。文档编号C30B15/36GK201990763SQ20102067846公开日2011年9月28日 申请日期2010年12月13日 优先权日2010年12月13日专利技术者吴耀城, 廖长苏, 陆伟民 申请人:浙江开化同力电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶直拉中使用的籽晶,其特征在于籽晶的形状呈上宽下窄、上短下长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴耀城陆伟民廖长苏
申请(专利权)人:浙江开化同力电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:33

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