【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及类单晶硅制造领域，具体而言，涉及一种。
技术介绍
目前，光伏行业发展迅速，类单晶作为多晶铸锭的替代品在光伏电池光电转换效率方面存在很大优势，成为目前光伏行业的热门产品。其中，晶粒是指结晶物质在生长过程中，由于受到外界空间的限制，未能发育成具有规则形态的晶体，而只是结晶成颗粒状，即晶向一致的单体，称晶粒。类单晶，又称准单晶，通过铸锭的方式形成晶硅材料，在一定尺寸的硅片上表现为同一晶向的晶粒面积大于硅片总面积的50%，通过铸锭技术形成类单晶，其晶硅质量接近直拉单晶硅，简单的说，这种技术就是使用多晶铸锭炉生产单晶硅。籽晶是指类单晶铸锭中，用于铺设在坩埚底部，熔化后期保证籽晶不完全熔化，硅液在籽晶基础上逐步结晶生长，形成类单晶硅锭。目前所有铸锭炉制造厂家相继推出适应于铸造类单晶硅锭的新型铸锭炉。以精功500N型铸锭炉为例，如图1所示，包括:散热台10，石墨材质，具有良好的热传导性，用于承载硅料、装载硅料的石英坩埚以及石墨侧面护板20和石墨底板30，硅液结晶时通过散热台10将热量辐射到底部的水冷铜盘上；百叶窗40，位于散热台10底部，共四片百叶，由隔热材料组成，每片百叶都可以向下旋转90°C，在百叶窗打开过程中，散热台10热量通过百叶窗40窗口将热量辐射到底部水冷铜盘上，保证坩埚50内的熔融硅料在结晶过程中能够将热量散发出去；侧部隔热层60，钢架结构，框架内由多块石墨硬毡材质保温板拼接组装，用于热场内保温；隔热挡板70，位于热场内部，由一圈保温硬毡构成，通过提升吊杆可以升降；加热器80，设置坩埚50的上方，底部隔热层90，设置在隔热挡板70...
【技术保护点】
一种铸锭炉，包括：侧部隔热层（60）；底部隔热层（90），呈环状，所述环状的内环位置设置有百叶窗（40），所述底部隔热层（90）与所述侧部隔热层（60）共同围成一个腔体；坩埚（50），设置在所述腔体内；隔热挡板（70），设置在所述底部隔热层（90）与所述侧部隔热层（60）相接处，且朝向所述腔体的中心延伸，顶部测温点（51），设置在所述侧部隔热层（60）与所述坩埚（50）之间，且位于所述腔体的顶部的1/4～1/5处，其特征在于，所述隔热挡板（70）的位置是可调整的，以调整所述铸锭炉内热场的高温区和低温区的空间分布。
【技术特征摘要】
1.一种铸锭炉,包括: 侧部隔热层(60)； 底部隔热层(90)，呈环状，所述环状的内环位置设置有百叶窗(40)，所述底部隔热层(90)与所述侧部隔热层(60)共同围成一个腔体； 坩埚(50)，设置在所述腔体内； 隔热挡板(70)，设置在所述底部隔热层(90)与所述侧部隔热层(60)相接处，且朝向所述腔体的中心延伸， 顶部测温点(51)，设置在所述侧部隔热层(60)与所述坩埚(50)之间，且位于所述腔体的顶部的1/4~1/5处， 其特征在于，所述隔热挡板(70)的位置是可调整的，以调整所述铸锭炉内热场的高温区和低温区的空间分布。2.一种控制类单晶铸锭过程中籽晶保留高度的方法，其特征在于，包括采用如权利要求I所述的铸锭炉进行类单晶的铸锭，并通过调整铸锭炉热场内隔热挡板(70)的位置调整高温区和低温区的空间分布。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，包括以下步骤: 第一步:维持所述顶部测温点(51)温度为1135°C~1175°C，所述百叶窗(40)呈关闭状态，所述隔热挡板(70)的位置为原始位置，时间为60~120分钟； 第二步，所述顶部测温点(51)温度升至1480°C~1510°C，所述百叶窗(40)呈关闭状态，所述隔热挡板(70)位置为原始位置，时间为180~300分钟； 第三步，在30~60分钟内，所述顶部测温点(51)温度升至1520°C~1550°C，所述隔热挡板(70)位置上升3~7厘米； 第四步:维持所述第三步最终状态不变270~330分钟； 第五步:在30~60分钟内，所述顶部测温点(51)温度降至1495~1505°C，所述隔热挡板(70)的位置在所述第三步的基础上再上升8~12厘米； 第六步:维持所述第五步最终状态不变直至熔化段结束。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，包括以下步骤...
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