【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种单晶炉中的保温筒。
技术介绍
目前，在单晶直拉的生产过程中，因高温而产生大量的氧化物，在氩气的带动下， 通过保温筒下部的导气孔后，吸附、沉积在单晶炉内部的加热器等石墨件的底部，清除这些氧化物，会磨损加热器等石墨件，减少加热器等石墨件的使用寿命；另外，氧化物的吸附、沉积易堵塞排气通道。
技术实现思路
本技术的目的是提供能使大量氧化物不在加热器等石墨件的底部吸附、沉积的一种单晶炉中的保温筒。本技术采取的技术方案是一种单晶炉中的保温筒，分成上、中、下三部分，其特征在于在保温筒的上部分开有导气孔。采用本技术，由于气体在保温筒内循环后直接从保温筒上部的导气孔排出， 大量氧化物会在炉壁上吸附，而不至于大量吸附、沉积在加热器等石墨件的底部，就不会造成排气通道堵塞，同时，挥发产生的细小颗粒更被有效地吹离熔体上部，减少了氧化物的生成机率。附图说明图1是本技术的设置在单晶炉中的示意图。图中序号表示保温筒导气孔1、保温筒2、单晶炉3和单晶炉出气孔具体实施方式下面结合具体的实施例对本技术作进一步说明。参照图1，该单晶炉中的保温筒2分成上、中、下三部分，保温筒2位于单晶炉3中， 在保温筒2的上部分沿筒壁开有若干个保温筒导气孔1。使用时，由于气体在保温筒3内循环后直接从保温筒3上部的保温筒导气孔1排出，大量氧化物会在单晶炉的炉壁上吸附，而不至于大量吸附、沉积在加热器等石墨件的底部，就不会造成排气通道堵塞。同时，挥发产生的细小颗粒更被有效地吹离熔体上部，加强了对单晶硅的冷却作用，减少了氧化物的生成机率。权利要求1. 一种单晶炉中的保温筒，分成上、中、下三部分，其特征在于在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪培琦，陆伟民，廖长苏，
申请(专利权)人：浙江开化同力电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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