化学气相沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括：承载台和与所述承载台活动连接的遮挡环；所述遮挡环上设置有定位孔；所述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；所述定位孔包括靠近承载台的第二部分以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的孔径大于所述第一部分的孔径。通过本实用新型专利技术提供的化学气相沉积装置，遮挡环上的定位孔不易损坏，在化学气相沉积工艺过程中，定位孔与定位管脚也不易脱离。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种化学气相沉积装置。
技术介绍
现有的半导体制造工艺中，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)装 置被广泛应用，以进行化学气相沉积工艺，于半导体晶圆上淀积薄膜。请参考图1，其为现有 的化学气相沉积装置示意图。如图1所示，化学气相沉积装置1包括承载台10和与所述承 载台10活动连接的遮挡环11 ；所述遮挡环11上设置有定位孔12 ；所述承载台10上设置有 与所述定位孔12对应的定位管脚13，所述定位孔12的形状与所述定位管脚13的形状相匹 配，具体的说，定位孔12形状为圆柱体，并且定位孔12的孔径(平行于承载台表面方向的 宽度)比定位管脚13的直径略大，恰好使得定位管脚13插入到定位孔12中；所述承载台 10内设置有与所述定位管脚13固定连接的定位基座14。所述遮挡环11利用所述定位孔 12与所述定位管脚13的接合，达到与所述承载台10连接，以在所述承载台10上限定出用 于承载晶圆的空间。通过现有的化学气相沉积装置1进行化学气相沉积工艺时，利用所述遮挡环11能 够阻挡化学气相沉积工艺中一些杂质对半导体晶圆的伤害，从而提高产品的良率。但是，现 有的化学气相沉积装置1的定位孔12经常容易损坏。专利技术人经过长期观察发现，这是由于 定位孔12的形状与定位管脚13的形状完全吻合，因此，在工艺过程中，人为的对遮挡环11 与承载台10进行连接时，往往发生定位孔12与定位管脚13有些许偏差，即定位管脚13与 定位孔12中心在水平方向(与承载台表面平行的方向)未对准，由此造成定位管脚13与 定位孔12整体错位，从而导致定位孔12损坏。并且，在现有的化学气相沉积工艺过程中，承载台10会在竖直方向运动，由此会 发生遮挡环11与承载台10脱离连接的现象。请参考图加 2b，其为现有的化学气相沉积 工艺过程中化学气相沉积装置示意图。如图加 2b所示，承载台10在进行竖直方向运动 过程中，遮挡环11由于惯性作用，与承载台10发生了一定的脱离，此时，定位孔12与定位 管脚13也伴随发生了脱离。接着，由于重力作用，遮挡环11再次与承载台10连接，但是， 往往在此过程中，定位管脚13与定位孔12中心在水平方向(与承载台表面平行的方向) 上发生了一定的偏移，往往造成定位管脚13与定位孔12整体错位，因此不能吻合在一起， 遮挡环11与承载台10的连接将不可靠，从而可能发生遮挡环11对晶圆的损坏或者由于遮 挡环11不能阻挡杂质，而降低晶圆良率。此外，现有的化学气相沉积装置，在使用一段时间后，承载台10上会沉积有一些 杂质，从而导致承载台10表面凹凸不平，影响化学气相沉积工艺的可靠性。为此，现有的化 学气相沉积装置在使用一段时间后，需对承载台10表面进行打磨，以使得承载台10表面复 归平整。经过打磨后，承载台10的高度将有所降低，相对的，承载台10上设置的定位管脚 13的高度将变高，从而，遮挡环11与承载台10连接时，定位孔12与定位管脚13不能很好 的吻合。由此，遮挡环11将发生晃动，降低了装置的可靠性，并且，由于定位孔12与定位管脚13不能很好的吻合，即遮挡环11与承载台10的连接中具有一些空隙，由此，在化学气相 沉积工艺中，遮挡环11不能很好的阻挡杂质对半导体晶圆的伤害，从而降低晶圆良率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种化学气相沉积装置，以解决现有的化学气相沉积 装置定位孔容易损坏，并且在化学气相沉积过程中，定位孔与定位管脚易于脱离的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉 积装置包括承载台和与所述承载台活动连接的遮挡环；所述遮挡环上设置有定位孔；所 述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；所述定位孔包括靠近承载台的第二部分 以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的 孔径大于所述第一部分的孔径。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述定位管脚高出承载台表面的高度等 于或者小于所述定位孔的深度。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述第一部分呈圆柱体状。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述第二部分呈倒漏斗状。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述第二部分呈圆柱体状。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述定位孔的数量为两个。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，两个所述定位孔位于遮挡环的同一轴线 上。可选的，在所述的化学气相沉积装置中，还包括设置于所述承载台内并与所述定 位管脚活动连接的定位基座。本技术提供的化学气相沉积装置，其中，定位孔包括靠近承载台的第二部分 以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的 孔径大于所述第一部分的孔径，由于所述第二部分的孔径较第一部分孔径大，即比定位管 脚的孔径更大，因此，在人为对遮挡环与承载台进行连接分离的时候，很容易将定位孔与定 位管脚对准，从而避免损坏定位孔。此外，在化学气相沉积工艺过程中，虽由于惯性作用，遮挡环与承载台会发生脱 离，但，由于本技术提供的第二部分的孔径较第一部分孔径大，即比定位管脚的孔径更 大，即使定位管脚与定位孔中心在水平方向(与承载台表面平行的方向)上发生了一定的 偏移，定位管脚与定位孔整体并未错位，从而由于重力作用遮挡环与承载台连接时，定位管 脚仍能对准定位孔，使得遮挡环与承载台能够贴合连接，有效阻挡杂质对半导体晶圆的伤 害，提高晶圆良率。在本技术的一个优选方案中，所述定位基座与所述定位管脚活动连接，从而 使得所述定位管脚是可调的。当化学气相沉积装置在使用一段时间后，承载台表面变得凹 凸不平，需对承载台表面进行打磨，从而降低了承载台高度时，可将现有的定位管脚换成一 个高度低的定位管脚，或者直接将现有定位管脚的高度调低，使得定位管脚的高度仍与所 述第一部分和第二部分的高度之和相当，从而使遮挡环与承载台能够贴合连接，有效阻挡 杂质对半导体晶圆的伤害，提高晶圆良率。附图说明图1是现有的化学气相沉积装置示意图；图加 2b是现有的化学气相沉积工艺过程中化学气相沉积装置示意图；图3是本技术的化学气相沉积装置示意图；图如 4b是本技术的化学气相沉积工艺过程中化学气相沉积装置示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的化学气相沉积装置作进一步详 细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均 采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例 的目的。请参考图3，其为本技术的化学气相沉积装置示意图。如图3所示，化学气相 沉积装置2，包括承载台20和与所述承载台20活动连接的遮挡环21 ；所述遮挡环21上设 置有定位孔22 ；所述承载台20上设置有与所述定位孔22对应的定位管脚23 ；所述定位孔 22包括靠近承载台20的第二部分沈以及远离承载台20的第一部分25，所述第一部分25 的孔径与所述定位管脚23匹配，所述第二部分沈的孔径大于所述第一部分25的孔径。在本技术提供的化学气相沉积装置2中，由于所述第二部分沈的孔径比所述 第一部分25的孔径大，即比定位管脚23的孔径更大，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化学气相沉积装置，包括：承载台以及与所述承载台活动连接的遮挡环；所述遮挡环上设置有定位孔；所述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；其特征在于，所述定位孔包括靠近承载台的第二部分以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的孔径大于所述第一部分的孔径。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置，包括承载台以及与所述承载台活动连接的遮挡环；所述 遮挡环上设置有定位孔；所述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；其特征在 于，所述定位孔包括靠近承载台的第二部分以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的 孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的孔径大于所述第一部分的孔径。2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述定位管脚高出承载台表 面的高度等于或者小于所述定位孔的深度。3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡频升，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31