平板PECVD装置的挂钩制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种平板PECVD装置的挂钩，用于支撑硅片，包括夹持部，该夹持部包括相对设置且形成夹持槽的第一夹持壁和第二夹持壁；设置在夹持部的底侧的两端的第一挂钩本体和第二挂钩本体，第一挂钩本体与第一夹持壁连接的连接部内凹于第一夹持壁的外侧面，第二挂钩本体与第二夹持壁连接的连接部内凹于第二夹持壁的外侧面。本实用新型专利技术提供的PECVD装置的挂钩中，第一挂钩本体与第一夹持壁连接的连接部内凹于所述第一夹持壁的外侧面，第二挂钩本体与第二夹持壁连接的连接部内凹于第二夹持壁的外侧面，减小了钩尖与硅片的接触处的钩点距硅片边缘的距离，由于硅片的边缘并没有栅线，从而减小了硅片上钩点的漏电流。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池制作设备
，更具体地说，涉及一种平板PECVD 装置的挂钩。
技术介绍
硅单体太阳能电池的主要生产工艺包括清洗制绒、扩散制p-n结、PECVD镀减反 射膜、丝网印刷、烧结制作电极等工序。其中，PECVD镀减反射膜主要是对硅片表面沉积 SiNx:H薄膜，主要目的是减少太阳能电池表面对阳光的反射损失，并对硅片的表面及基体 进行钝化，增加少子寿命，从而提高太阳能电池的光电转换效率。PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition)技术主要利用低温等离子 体作为能量源，将硅片置于低压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使硅 片升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经过一系列化学反应和等离子反应 后，在硅片的表面形成固态薄膜。目前，PECVD加工硅片的过程中，主要是以NH3和SiH4* 反应气体，沉积一层深蓝色的SiNx:H薄膜。上述加工过程是将硅片放在PECVD装置的石墨框上进行的，硅片通过设置在石墨 框上的挂钩挂在石墨框上进行镀减反射膜。现有的挂钩如附图1所示，包括夹持部，该夹持 部包括第一夹持壁12和第二夹持壁11，且两者可形成夹持槽13 ；夹持部的底侧的两端分 别设置有挂钩本体14和挂钩本体15，其中挂钩本体14的连接部142外凸于所述第一夹持 壁12的外侧面，连接挂钩本体15的第二夹持壁11的连接部152外凸于第二夹持壁11的 外侧面，上述连接部142的设置使得钩尖141离第一夹持壁12的距离(图中距离X)比较 大，同理，连接部152的设置使得钩尖151离第二夹持壁11的距离较大。请参考参考附图 2，以第二夹持壁11为例，当挂钩本体15支撑硅片16时，由于钩尖151距离第二夹持壁11 的外侧面距离较大，导致钩尖151与硅片16接触的钩点离硅片的边缘距离较大，由于硅片 的栅线设置在离边缘一定距离，且栅线是丝网印刷的银电极，如果钩尖离栅线太近，即硅片 上与钩尖接触的钩点就离栅线更近，增加了硅片上钩点的漏电流。另外，上述钩尖距离夹持槽13的底面的距离(图中距离Y)过大，当夹持槽13安 装到石墨框上后，钩尖151支撑硅片16时，硅片16的上表面低于石墨框的底面，硅片16 的上表面和石墨框的底面之间形成缝隙，这样在进行镀SiNx:H薄膜时，容易使得反应气体 通过该缝隙进入到硅片16的背面(即图2中硅片的下表面)，导致背面也沉积一层薄薄的 SiNx:H薄膜，这样当背面进行铝背场加工时，硅片背面的SiNx:H薄膜影响了铝浆与硅片之 间的结合力，影响了铝背场的加工质量。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种平板PECVD装置的挂钩，以减少钩尖与夹持壁 的外侧面之间的距离，使得钩点更加靠近没有栅线的边缘，降低硅片漏电流。为了达到上述目的，本技术实施例提供如下技术方案一种平板PECVD装置的挂钩，用于支撑太阳能电池片生产用硅片，包括夹持部，该夹持部包括相对设置且形成夹持槽的第一夹持壁和第二夹持壁；设置在所述夹持部的底侧的两端的第一挂钩本体和第二挂钩本体，所述第一挂钩 本体与所述第一夹持壁连接的连接部内凹于所述第一夹持壁的外侧面，所述第二挂钩本体 与所述第二夹持壁连接的连接部内凹于所述第二夹持壁的外侧面。优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体与所述第一夹持壁连 接的连接部的内侧和第二挂钩本体与所述第二夹持壁连接的连接部的内侧均为弧形边缘。优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体的钩尖和第二挂钩本 体的钩尖直径均为0. 5mm。优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，还包括第一折弯部和第二折弯部，所述第 一折弯部设置在所述第一夹持壁的顶部，所述第二折弯部设置在第二夹持壁的顶部。优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体的钩尖和第二挂钩本 体的钩尖放置所述硅片后，所述硅片的上表面不低于所述夹持槽的底面。优选的，上述平板PECVD装置的挂钩中，所述第一挂钩本体的钩尖和第二挂钩本 体的钩尖均与所述夹持槽的底面处于同一平面上。由上述技术方案可知，本技术实施例提供的PECVD装置的挂钩中，第一挂钩 本体与第一夹持壁连接的连接部内凹于所述第一夹持壁的外侧面，第二挂钩本体与第二夹 持壁连接的连接部内凹于第二夹持壁的外侧面，上述结构使得第一挂钩本体的钩尖和第二 挂钩本体的钩尖均向着挂钩的中间偏移，缩短了第一挂钩本体的钩尖与第一夹持壁的外侧 面之间的距离和第二挂钩本体的钩尖与第二夹持壁的外侧面之间的距离，这样就减小了钩 尖与硅片的接触处的钩点距硅片边缘的距离，由于硅片的边缘并没有栅线，从而减小硅片 上钩点的漏电流。附图说明图1为现有技术中提供的平板PECVD装置的挂钩的结构示意图；图2为图1中的挂钩一侧的挂钩本体支撑硅片时的结构示意图；图3为本技术实施例提供的平板PECVD装置的挂钩的结构示意图；图4为图3中的挂钩一侧的挂钩本体支撑硅片时的结构示意图。具体实施方式为了更清楚地了解本技术中的技术方案，现在就申请文件中的技术名词进行 解释如下挂钩，平板PECVD装置的石墨框上挂住太阳能电池片生产用硅片的钩子。钩点，硅片上与钩尖配合的孔，方便钩尖挂住硅片。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部 的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前 提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例公开了一种平板PECVD装置的挂钩，减少了钩尖与夹持壁的外侧面之间的距离，减小了硅片上的漏电流。请参考附图3-4，图3为本技术实施例提供的平板PECVD装置的挂钩的结构示 意图；图4为图3中挂钩的一侧挂钩本体支撑硅片时的结构示意图。本技术实施例提供的平板PECVD装置的挂钩，用于在PECVD过程中，为硅片镀 膜时支撑硅片，本实施例仅以镀SiNx:H薄膜为例对该挂钩的结构进行说明，但不仅限于镀 SiNx:H薄膜的过程。该挂钩包括夹持部，该夹持部包括第一夹持壁22和第二夹持壁21，且第一夹持壁22和第二夹 持壁21相对设置，形成夹持槽23 ；第一挂钩本体M和第二挂钩本体25，第一挂钩本体M和第二挂钩本体25分别设 置在夹持部底侧的两端，其中第一挂钩本体24与第一夹持壁22连接的连接部242内凹于 第一夹持壁22的外侧面，第二挂钩本体25与第二夹持壁21连接的连接部252内凹于第二 夹持壁21的外侧面。本技术实施例中提供的平板PECVD装置的挂钩中，在工作的过程中，将该挂 钩安装在石墨框上，石墨框的底面与夹持槽23的底面接触，第一挂钩本体M和第二挂钩本 体25上用于放置硅片进行镀SiNx:H薄膜，请参考附图4，以第二挂钩本体25为例，硅片沈 放置在第二挂钩本体25上，一块太阳能电池硅片需要4个挂钩，实现对整个硅片沈的支 撑。本技术实施例中提供的挂钩中，第一挂钩本体M与第一夹持壁22连接的连接部 242内凹于第一夹持壁22的外侧面，第二挂钩本体25与第二夹持壁21连接的连接部252 内凹于第二夹持壁21的外侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板ＰＥＣＶＤ装置的挂钩，用于支撑太阳能电池片生产用硅片，其特征在于，包括：　　夹持部，该夹持部包括相对设置且形成夹持槽的第一夹持壁和第二夹持壁；　　设置在所述夹持部的底侧的两端的第一挂钩本体和第二挂钩本体，所述第一挂钩本体与所述第一夹持壁连接的连接部内凹于所述第一夹持壁的外侧面，所述第二挂钩本体与所述第二夹持壁连接的连接部内凹于所述第二夹持壁的外侧面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱明星，郭建东，麻晓园，韩少鹏，孙林杰，
申请(专利权)人：江阴浚鑫科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32