【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别是采用有蜡抛光技术对超薄硅片进行抛光。
技术介绍
目前，采用有蜡抛光技术对硅片进行抛光，通常是把清洗、酸腐蚀后的硅片，采用抛光腊粘贴定位固定在抛光机的抛光板上，然后将抛光压力控制在1. 2KG/cm2 1. 5KG/ cm2，硅抛光液的流量掌握在80ml/min 160ml/min，一次性抛光1 1. 5个小时即可。采用这种硅片抛光工艺，对于较小直径的硅片，一般只能抛光出最薄为230mm以上厚度的硅片。 而对于大直径的硅片，只能抛光出最薄为250mm以上厚度的硅片。但这些硅片已经不能满足需要ο
技术实现思路
本专利技术的目的是提供能加工超大直径且超薄的。本专利技术采取的技术方案是，其特征在于将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在60 lOOml/min之间并开始加压抛光，在0 5分钟之间将压力控制在0. 1 0. 2KG/cm2，在5 10分钟之间将压力控制在0. 4 0. 5KG/cm2，在10 20分钟之间将压力控制在0. 8 lKG/cm2，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转180度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。所述的将硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上之前，应在硅片与抛光蜡之间铺设镜头纸。所述的抛光蜡的目数在400目以上。采用本专利技术方法，由于根据时间分段设置不同压力，并从多方位定位进行抛光，可以抛光出大直径且超薄硅片。具体实施例方式下面结合具体的实施例对本专利技术作进一步说明。1、将硅片(Φ 1...
【技术保护点】
１．一种硅片的抛光方法，其特征在于将清洗、碱腐蚀后的硅片用抛光腊粘贴定位在抛光机的抛光板上，控制抛光液的流量在６０～１００ｍｌ／ｍｉｎ之间并开始加压抛光，在０～５分钟之间将压力控制在０．１～０．２ＫＧ／ｃｍ２，在５～１０分钟之间将压力控制在０．４～０．５ＫＧ／ｃｍ２，在１０～２０分钟之间将压力控制在０．８～１ＫＧ／ｃｍ２，之后，停止抛光；然后，在抛光面不变的情况下，将硅片从原定位的位置旋转１８０度后用抛光腊重新粘贴定位在抛光机的抛光板上，并重新开始上述条件下的抛光，如此反复多次即可。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈跃骅，
申请(专利权)人：浙江旭盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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