化合物氟硼酸铅非线性光学晶体及其制备方法和用途技术

本发明专利技术涉及一种化合物氟硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Pb3B6011F2，分子量900.43，属单斜晶系，空间群P21，晶胞参数为α＝90°，β＝101.284(8)°，γ＝90°，Z＝2，其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的4倍，紫外截止边约为195nm。采用固相反应法合成及高温熔液法生长晶体的方法制备化合物氟硼酸铅非线性光学晶体，该晶体机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，在作为制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化合物氟硼酸铅非线性光学晶体及其制备方法和用途。
技术介绍
利用晶体的非线性光学效应，可以制成二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参 量振荡器等非线性光学器件。激光器产生的激光可通过非线性光学器件进行频率转换，从 而获得更多有用波长的激光，使激光器得到更广泛的应用。在非线性光学晶体材料中，含卤 素的非线性光学晶体是一类比较独特的晶体材料。因为卤素离子在配位结构上具有很大的 相似性，它们的物理化学性质使得卤素离子在相互取代(部分或全部)时，不会导致晶体结 构的突变，因而容易实现材料的改性。同时探索倍频效应大、透过波段宽、物化性能稳定的新型非线性光学晶体，一直是 激光变频领域的热点话题。目前主要非线性光学材料有ΒΒ0( β -BaB2O4)、LBO(LiB3O5)晶 体、CBO(CsB3O5)晶体、CLBO(CsLiB6Oltl)晶体和KBBF(KBe2BO3F2)晶体。虽然这些材料的晶体 生长技术已日趋成熟，但仍存在着明显的不足之处如晶体易潮解、生长周期长、层状生长 习性严重及价格昂贵等。因此，寻找新的非线性光学晶体材料仍然是一个非常重要而艰巨 的工作。为弥补以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种化合物氟硼酸铅非线性光学晶体，其特征在于该晶体化学式为Ｐｂ３Ｂ６Ｏ１１Ｆ２，分子量９００．４３，不具有对称中心，属单斜晶系，空间群Ｐ２１，晶胞参数为α＝９０°，β＝１０１．２８４（８）°，γ＝９０°，Ｚ＝２，

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘世烈，吴红萍，李弘毅，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：65