集成晶片托盘制造技术

本发明专利技术涉及一种集成晶片托盘。更具体地，本发明专利技术涉及一种集成晶片托盘，其容易地容纳多个晶片，有效地冷却晶片，并使晶片处理期间产生的杂质减到最少。本发明专利技术提供了一种集成晶片托盘，其包括：上部托盘，其具有夹持开口以及夹持单元，该夹持单元朝该夹持开口的上内部突出；以及下部托盘，其具有加压突起并将晶片安置在该加压突起的上表面上，该加压突起突出以在夹持开口的方向上插入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成晶片托盘。更具体地，本专利技术涉及一种集成晶片托盘，其易于 容纳多个晶片，有效地冷却晶片，并将晶片处理期间产生的杂质减到最少。
技术介绍
在半导体制造中，利用等离子体以在基板上形成薄膜或以所需的图案来处理该基 板。利用等离子体处理基板的典型示例可以包括等离子体辅助化学气相沉淀(PECVD)工艺 和等离子体刻蚀工艺。等离子体将气态化学制品变成具有强活化性的基以增强活化性。利用上述原理的 PECVD工艺是一种通过使气态工艺气体在等离子体氛围下起反应而在基板上形成薄膜的工 艺。同时，等离子体中的离子撞击基板的表面以便物理去除将要被刻蚀掉的材料或切断材 料中的化合作用，从而使得通过基进行刻蚀能够快速实现。利用上述操作的等离子体刻蚀 工艺通过保留由光致抗蚀剂等所掩覆的基板区域，并且用腐蚀性气体选择性地去除剩余部 分而在基板上形成半导体电路图案。此外，可以将诸如金属有机化学气相沉积、物理气相沉 积等之类的多种晶片处理工艺用作其它在晶片上形成薄膜的工艺。同时，正在利用容纳多个晶片并将其传送至处理室的晶片托盘以便在一次处理中 同时处理两个或更多个晶片。晶片托盘可以在固定多个晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种集成晶片托盘，所述集成晶片托盘包括：上部托盘，所述上部托盘具有夹持开口以及夹持单元，所述夹持单元突出至所述夹持开口的上内部；以及下部托盘，所述下部托盘具有加压突起并将晶片安置在所述加压突起的上表面上，所述加压突起突出以在所述夹持开口的方向上插入。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴根佑，李诚宰，罗润柱，崔麟奎，
申请(专利权)人：塔工程有限公司，
类型：发明
国别省市：KR