本发明专利技术提供一种晶片的加工装置，能够与粗磨削工序和精磨削工序同步地得到表面精度与晶片的种类对应的研磨面。晶片的加工装置具备：转动工作台，其配设成能够旋转，并且能够沿晶片搬入搬出区域、粗磨削区域、精磨削区域和研磨区域适当旋转；四个卡盘工作台，它们配设于转动工作台并具有保持面；晶片搬入搬出构件，其将晶片相对于卡盘工作台进行搬入搬出；粗磨削构件，其对片实施粗磨削加工；精磨削构件，其对晶片实施精磨削加工；第一研磨构件，其对在定位于研磨区域的卡盘工作台上保持的晶片实施第一研磨加工，该晶片的加工装置具有第二研磨构件，其对在定位于晶片搬入搬出区域的卡盘工作台上保持的、实施过第一研磨加工的晶片实施第二研磨加工。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工装置，该晶片的加工装置磨削半导体晶片等晶片的背面使 晶片形成为预定的厚度，并且能够将磨削后的晶片的背面精加工至预期的表面精度。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面利用呈格子状 地排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个矩形区域，在所述矩形区域中分别形成 ICdntegrated Circuit :集成电路)、LSI (large scale integration :大规模集成电路) 等器件。通过将像这样形成有多个器件的半导体晶片沿间隔道分割，从而形成一个一个的 器件。为了实现器件的小型化和轻量化，通常，在将半导体晶片沿间隔道切断而分割为一个 一个器件之前，先将半导体晶片的背面磨削以形成为预定的厚度。如上所述，为了实现分割为一个一个的芯片的小型化和轻量化，通常，在将晶片沿 间隔道切断而分割为一个一个的芯片之前，先将晶片的背面磨削以便形成为预定的厚度。 晶片的背面的磨削通常是使磨削工具高速旋转同时按压于晶片的背面来完成的，其中所述 磨削工序通过用类似于树脂结合剂的适当的结合剂将金刚石磨粒固定粘接起来而形成。以 这种磨削方式对晶片的背面进行磨削的话，在晶片的背面会产生微观裂纹等加工畸变，并 由此使分割为一个一个的芯片的抗弯强度显著降低。作为除去该产生于磨削后的晶片的背 面的加工畸变的对策，采用了使用含有硝酸和氢氟酸的蚀刻液对磨削后的晶片的背面进行 化学蚀刻的湿蚀刻法和使用蚀刻气体的干蚀刻法。此外，还应用了对磨削后的晶片的背面 使用浮悬磨粒进行抛光的抛光法。然而，在为了对由磨削装置磨削后的晶片进行蚀刻或抛 光而将晶片从磨削装置搬送到蚀刻装置或者抛光装置时，存在着晶片破损的问题。为了消除上述问题，在下述专利文献1中公开了具有如下构件的晶片的加工装 置保持构件，其保持晶片；粗磨削构件，其对保持于该保持构件的晶片进行粗磨削；精磨 削构件，其对由该粗磨削构件粗磨削后的晶片进行精磨削；以及研磨构件，其对由该精磨削 构件精磨削后的晶片进行研磨。专利文献1 日本特开2005-153090号公报然而，为了实施在晶片的背面形成子器件(寸H" ^ ^ )的技术，需要提高晶片 的背面的表面精度。例如，在晶片的背面形成子器件的技术中，在对晶片的背面照射特定波 长的光并对反射的光的散射光的低频成分进行计数从而测定表面精度的测定方法中，要求 0. Ippm以下的精度。若采用用于得到这种精度极高的被加工面的研磨工具的话，需要较长 的研磨时间，并且，难以使粗磨削工序、精磨削工序和研磨工序同步。此外，在DRAM (Dynamic Random Access Memory 动态随机存取存储器)、闪速存储 器(flash memory)等具有数据保存功能的器件中，如果研磨晶片的背面来除去磨削畸变的 话，则吸杂效果丧失，保持于晶片的背面侧的铜离子等金属离子在半导体层内浮动，存在着 数据保存功能显著降低的问题。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述事实而作出的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工 装置，能够与粗磨削工序以及精磨削工序同步地得到表面精度与晶片的种类对应的研磨为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供一种晶片的加工装置，其具备 转动工作台，所述转动工作台被配设成能够旋转，并且沿晶片搬入搬出区域、粗磨削区域、 精磨削区域和研磨区域适当旋转；四个卡盘工作台，所述四个卡盘工作台以相等角度配设 于该转动工作台，并且所述四个卡盘工作台具有保持晶片的保持面；晶片搬入搬出构件，所 述晶片搬入搬出构件相对于定位在所述晶片搬入搬出区域的卡盘工作台对晶片进行搬入 和搬出；粗磨削构件，所述粗磨削构件对保持在卡盘工作台上的晶片实施粗磨削加工，其中 该卡盘工作台定位于所述粗磨削区域；精磨削构件，所述精磨削构件对保持在卡盘工作台 上的晶片实施精磨削加工，其中该卡盘工作台定位于所述精磨削区域；以及第一研磨构件， 所述第一研磨构件对保持在卡盘工作台上的晶片实施第一研磨加工，其中该卡盘工作台定 位于所述研磨区域，所述晶片的加工装置的特征在于，该晶片的加工装置具有第二研磨构 件，所述第二研磨构件对保持在卡盘工作台上并实施过所述第一研磨加工的晶片实施第二 研磨加工，其中该卡盘工作台定位于所述晶片搬入搬出区域。上述第二研磨构件具有第二研磨工具，所述第二研磨工具具有第二研磨垫；安 装座，其用于装配所述第二研磨工具，并且使所述第二研磨工具能够装卸；主轴单元，所述 主轴单元使所述安装座旋转；主轴单元支撑部件，所述主轴单元支撑部件支撑所述主轴单 元并使该主轴单元能够在相对于所述卡盘工作台的保持面垂直的方向移动；支撑基座，所 述支撑基座支撑所述主轴单元支撑部件并使该主轴单元支撑部件能够在相对于卡盘工作 台的保持面平行的方向移动；研磨进给构件，所述研磨进给构件使所述主轴单元在相对于 卡盘工作台的保持面垂直的方向移动；以及进退构件，所述进退构件使主轴单元支撑部件 在相对于所述卡盘工作台的保持面平行的方向移动，并且将装配于主轴单元的第二研磨工 具定位到研磨位置和从该研磨位置退开的待机位置，所述研磨位置是定位于搬入搬出区域 的卡盘工作台的上方位置。在本专利技术中，具有对晶片实施第二研磨加工的第二研磨构件，其中所述晶片保持 在定位于上述晶片搬入搬出区域的卡盘工作台上，并且利用第一研磨构件实施过第一研磨 加工，因此对于利用第一研磨构件实施第一研磨加工从而除去了研磨畸变的晶片，能够在 使粗磨削工序与精磨削工序及第一研磨工序同步的同时利用第二研磨构件实施精加工至 预期的表面精度的第二研磨加工。S卩，通过构成为利用上述第二研磨构件来实施精度比上述第一研磨构件要高的研 磨加工，能够将形成子器件的晶片的背面加工为高精度的镜面。此外，通过构成为利用上述第二研磨构件实施表面粗糙度比上述第一研磨构件要 粗的研磨加工，能够将形成了 DRAM、闪速存储器等具有数据保存功能的器件的晶片的背面 加工至可得到吸杂效果的表面粗糙度。附图说明图1是按照本专利技术构成的晶片的加工装置的立体图。图2是装备于图1所示的晶片的加工装置的第一研磨构件的立体图。图3是利用图2所示的第一研磨构件实施的第一研磨加工的说明图。图4是装备于图1所示的晶片的加工装置的第二研磨构件的立体图。图5是利用图4所示的第二研磨构件实施的第二研磨加工的说明图。图6是作为被加工物的半导体晶片的立体图。图7是示出在图6所示的半导体晶片的表面贴附有保护部件的状态的立体图。标号说明2 装置壳体；3 转动工作台；4a、4b、4c、4d 卡盘工作台；5 粗磨削单元；50 精 磨削单元；51 单元壳体；52 粗磨削轮；520 精加工用的磨削轮；53 伺服马达；56 磨削 进给构件；6 第一研磨构件；61 第一研磨工具；611 第一研磨垫；62 安装座；63 主轴单 元；64 主轴单元支撑部件；65 支撑基座；66 第一研磨进给构件；67 第二研磨进给构件； 7 第二研磨构件；71 第二研磨工具；711 第二研磨垫；72 安装座；73 主轴单元；74 主 轴单元支撑部件；75 支撑基座；76 研磨进给构件；77 进退构件；8 第一盒；9 第二盒； 11 中心对准构件；12 旋转清洗构件；13 晶片搬送构件；14 晶片本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片的加工装置，该晶片的加工装置具备：转动工作台，所述转动工作台配设成能够旋转，并且沿晶片搬入搬出区域、粗磨削区域、精磨削区域和研磨区域适当旋转；四个卡盘工作台，所述四个卡盘工作台隔开相等角度配设于该转动工作台，并且所述四个卡盘工作台具有保持晶片的保持面；晶片搬入搬出构件，所述晶片搬入搬出构件相对于定位在所述晶片搬入搬出区域的卡盘工作台对晶片进行搬入和搬出；粗磨削构件，所述粗磨削构件对保持在卡盘工作台上的晶片实施粗磨削加工，其中该卡盘工作台定位于所述粗磨削区域；精磨削构件，所述精磨削构件对保持在卡盘工作台上的晶片实施精磨削加工，其中该卡盘工作台定位于所述精磨削区域；以及第一研磨构件，所述第一研磨构件对保持在卡盘工作台上的晶片实施第一研磨加工，其中该卡盘工作台定位于所述研磨区域，所述晶片的加工装置的特征在于，该晶片的加工装置具有第二研磨构件，所述第二研磨构件对保持在卡盘工作台上并实施过所述第一研磨加工的晶片实施第二研磨加工，其中该卡盘工作台定位于所述晶片搬入搬出区域。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沟本康隆，小林长，山端一郎，早川晋，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP
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