使用重组晶圆的半导体器件制造的方法和设备技术

本发明专利技术描述了使用重组晶圆的半导体器件制造的方法和设备。在一个实施例中，将切割好的半导体芯片放置在框架上的开口内。通过将模塑料填充到所述开口中来形成重组晶圆。所述模塑料被形成在所述芯片周围。在所述重组晶圆内形成完成的小片。将完成的小片与所述框架分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件，并且更具体地，涉及使用重组晶圆(reconstituted wafer)的半导体器件制造的方法和设备。
技术介绍
晶圆级封装(WLP)指的是在晶圆级封装集成电路的技术，而不是在晶圆切割 (dice)之后组装每个单独的单元的封装的传统工艺。WLP最接近于是真正的芯片尺度封装 (CSP)技术。晶圆级封装在晶圆级集成了晶圆制造、封装、测试和预烧(burn-in)，并且简化 了生产工艺。晶圆级封装拓展了晶圆制造工艺以包括器件互连和器件保护工艺。WLP的使 用已显著增长，这源于它在尺寸、性能、灵活性、可靠性和成本上胜过其他封装方法的优势。WLP的难点之一在于接触部的数量和/或接触面积的限制。克服这些限制的方法 会导致产品成本增加和/或可靠性变差以及成品率损失。因此，所需要的是用于倒装芯片 封装的方法和设备，所述倒装芯片封装不仅节约成本而且允许有改进的接触构造(contact formation)0
技术实现思路
通过本专利技术的示意性实施例，这些及其他问题一般地被解决或被避免，而且技术 优势一般地被获得。本专利技术的实施例包括使用重组晶圆的半导体器件制造的方法和设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将切割好的半导体芯片放置在框架中的开口内；通过将模塑料填充到所述开口中来形成重组晶圆，所述模塑料被形成在所述芯片周围；在所述重组晶圆内形成完成的小片；以及将所述完成的小片与所述框架分离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：HJ·巴特，M·希尔勒曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE