半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，其中该方法是以无电铜电镀工艺于一光致抗蚀剂层的开口中的钛凸块下金属层上选择性形成铜凸块下金属层的制造方法。包括提供一基材；形成一第一凸块下金属(UBM)层于此基材上；形成一掩模层于此第一凸块下金属层上，其中此掩模层具有一开口，暴露一部分的此第一凸块下金属层；以及进行一无电电镀工艺以形成一第二凸块下金属层于此掩模层的此开口所暴露的此第一凸块下金属层上。在剥除此光致抗蚀剂层之后，无需于铜凸块下金属层上进行湿式蚀刻工艺，及因而使凸块下金属层结构不具有底切结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造方法，且特别涉及一种具有无底切的凸块下金属层的凸块结构的制造方法。
技术介绍
现今集成电路由数以百万计的有源装置(例如晶体管及电容)所制造。这些装置起初为互相隔离，但之后彼此内连接以形成功能性电路。内连线结构通常包含横向内连线(例如金属线)及垂直内连线(例如通孔及接触点)，对现今集成电路效能及密度的限制影响渐增。连接垫形成于内连线结构顶部，并暴露于其所对应的芯片表面外。电性连接通过连接垫形成，以连接芯片至封装基材或另一芯片。连接垫可用于导线连接或倒装芯片连接(flip-chipbonding)。在一般的凸块工艺中，为形成内连线结构于金属化层 (metallizationlayers)上，接着形成凸块下金属层(under -bump metallurgy, UBM)，并设置焊球。倒装芯片封装使用凸块来建立芯片的输入/输出垫与基材之间的电性接触，或芯片的输入/输出垫与封装体的导线架之间的电性接触。在结构上，凸块其实包含凸块本身及位于凸块及输入/输出垫之间的凸块下金属。凸块下金属通常包含粘着层、阻挡层及润湿层(wetting later)，依序排列于输入/输本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基材；形成一第一凸块下金属层于该基材上；形成一掩模层于该第一凸块下金属层上，其中该掩模层具有一开口，暴露一部分的该第一凸块下金属层；以及进行一无电电镀工艺以形成一第二凸块下金属层于该掩模层的该开口所暴露的该第一凸块下金属层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，郑明达，吕文雄，刘重希，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71