【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于现代电子技术 领域，特别涉及一种在绝缘基材表面直接沉积金属线路 图案的方法。
技术介绍
在绝缘基材上制备金属线路图案是电子、光学、机械器件如显示器、生物传感器等 的非常重要的一个生产步骤。现在成熟的制备图案化金属线路的方法，通常是通过光刻、电 子束曝光、聚焦离子束曝光等技术在真空蒸发、溅射、电镀或无电镀沉积披覆而成的金属膜 上获得相应的图案，然后再蚀刻而成。虽然这些技术已经能够制得比较精良的金属线路图 案，但是发展一种更为简便、低成本、绿色低碳的金属线生产工艺技术一直是业界的追求。为了达到这个目的，研究人员进行了各种各样的尝试。其中，在绝缘基材上直接选 择性地生长金属线路图案的制备技术最为令人瞩目。因为这种线路制造方法舍弃了光刻 制版、蚀刻金属膜等既繁琐又高能耗、高污染的步骤，使得金属线路图案的制造成本大为下 降，堪称下一代的金属线路生产技术。例如，在绝缘基底表面选择性地定点引入金属离子前 驱体，再将其还原形成所需金属膜图案。这种方法成功的关键是基材表面能够通过分子改 性，产生羰基等基团，从而与金属离子以离子键方式键合，形成金属盐型前驱体。因此，只...
【技术保护点】
一种在绝缘基材表面直接沉积金属线路图案的方法，其特征在于，通过丝网印刷惰性油墨图案的方式，定点选择性地在基体表面自组装上胺基基团，利用胺基基团吸附金属催化剂，再通过化学镀沉积得到所需要的金属图形。具体步骤如下：１）在基体表面用惰性油墨丝网印刷上所需金属线路的负相图形，在６０℃条件下烘干；所述基体是玻璃、硅片或玻纤布等绝缘材料；２）在基体表面自组装氨基基团：用交联剂将多胺类化合物包覆在基体表面，于５０～８０℃条件下干燥，使其表面带有胺基基团，得到表面改性的基体；所述多胺类化合物是二乙撑三胺、三乙撑四胺或分子量为２００００～６００００的聚乙撑亚胺、聚乙烯胺，用水、甲醇或二甲基甲...
【技术特征摘要】
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