下载半导体装置及其制造方法的技术资料

文档序号:6662643

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本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其中该方法是以无电铜电镀工艺于一光致抗蚀剂层的开口中的钛凸块下金属层上选择性形成铜凸块下金属层的制造方法。包括提供一基材;形成一第一凸块下金属(UBM)层于此基材上;形成一掩模层于此第一凸块下金属层上,...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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