【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体纳米材料的加工方法，尤其涉及半导体材料的纳米尺寸圆 环结构的制备方法。
技术介绍
纳米尺寸的圆环结构在半导体领域具有重要的应用前景。例如，对垂直结构的太 阳能电池而言，圆环结构比柱状结构更能有效吸收光生载流子，从而提高电池的效率；在 LED领域，研究者通常采用图形衬底技术增加光的出射效率，与常规的柱状结构的蓝宝石图 形衬底相比，圆环形结构的图形衬底可更有效增加光的反射，从而有望使LED获得更高的 发光效率。由于受到光学光刻最小线宽的限制，很难通过常规的光学光刻制备出纳米尺寸的 圆环结构。纳米尺寸圆环的制备往往依赖于先进的、昂贵的加工技术，例如电子束光刻、聚 焦离子束光刻等等，这无疑会增加产品的生产成本。当然还可以基于化学生长技术自组装 制备纳米尺寸圆环结构，例如基于气-液-固(Vapor-Liquid-Solid)的生长机制。但采用 自组装技术很难保证纳米结构的一致性和均勻性。此外，与制备纳米线相比，自组装制备纳 米尺度圆环结构的技术更不成熟。
技术实现思路
针对以上问题，本专利技术的目的是提供一种基于泊松衍射的基本原理，利用微米尺 度光刻设...
【技术保护点】
一种半导体纳米圆环的制备方法，包括以下步骤：１）清洗半导体衬底并对衬底进行前烘；２）在衬底上旋涂正性光刻胶；３）在掩膜版的保护下对光刻胶进行曝光，其中掩膜版的图形区域为微米级直径的圆形；４）对曝光后的光刻胶进行显影操作，在衬底上形成圆环形的光刻胶，然后进行后烘；５）在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀；６）去胶清洗，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：艾玉杰，郝志华，黄如，浦双双，樊捷闻，孙帅，王润声，安霞，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11
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