【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及作为可变电阻非易失存储器件的。
技术介绍
相关技术提出了可变电阻非易失存储器件。作为一类可变电阻非易失存储器件，相关技术披露了一种包括如下结构的存储器件在该结构中，存储层和离子源层层叠，存储层通过电阻值的变化存储信息，离子源层包含能作为离子移动的元素(参照Aratani等的“A Novel Resistance Memory with High Scalability and NanosecondSwitching，，，IEDM2007)。例如，如在表示存储器件的横剖面的图18中所示，通过在作为第一电极的下电极 52和作为第二电极的上电极55之间布置存储层53和离子源层M来配置存储器件。另外，在图18中，附图标记51表示下电极52的下层，附图标记56表示绝缘层。离子源层M包含Cu、Ag和Si中的至少一种元素以及Te、S和％中的至少一种元ο存储层53是由钽氧化物、铌氧化物、铝氧化物、铪氧化物和锆氧化物中的任一氧化物或其混合材料制成(例如，参照日本专利JP-A-2006-173267)。图18所示的结构是用于说明存储器件的操作原理的结构。如图19所示...
【技术保护点】
１．一种存储器件，其包括：存储层，每个存储单元的所述存储层均被隔离，所述存储层通过电阻值的变化存储信息；离子源层，其形成为使得所述每个存储单元的所述离子源层均被隔离，并形成为层叠在所述存储层上，所述离子源层包含Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ａｌ和Ｚｒ中的至少一种元素以及Ｔｅ、Ｓ和Ｓｅ中的至少一种元素；绝缘层，其隔离所述每个存储单元的所述存储层和所述离子源层；及防扩散阻挡部，其设于所述每个存储单元的所述存储层和所述离子源层的周围以防止元素的扩散。
【技术特征摘要】
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