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本发明涉及存储器件及其制造方法。该存储器件包括：存储层，每个存储单元的所述存储层均被隔离，所述存储层通过电阻值的变化存储信息；离子源层，其形成为使得每个存储单元的所述离子源层均被隔离，并形成为层叠在所述存储层上，所述离子源层包含Cu、Ag、...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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