移位寄存器电路制造技术

一种移位寄存器电路，包含多级移位寄存器，其中每一级移位寄存器具有一用来根据驱动控制电压与第一时钟以下拉扫描讯号的第一下拉单元、一用来根据输入讯号与反相于第一时钟的第二时钟以输出驱动控制电压的输入单元、一用来根据驱动控制电压以提供第一控制讯号的第一控制单元、一用来根据第一控制讯号以上拉驱动控制电压与扫描讯号的第一上拉单元、一用来根据扫描讯号以上拉发光讯号的第二上拉单元、一用来根据扫描讯号与第二时钟以提供第二控制讯号的第二控制单元、以及一用来根据第二控制讯号以下拉发光讯号的第二下拉单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种移位寄存器电路，特别是涉及一种用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号的移位寄存器电路。
技术介绍
平面显示装置(Flat Panel Display)具有外型轻薄、省电以及无辐射等优点，所以被广泛地应用于计算机屏幕、移动电话、个人数字助理(PDA)、平面电视等电子产品上。 在各种平面显示装置中，主动式矩阵有机发光显示装置(Active Matrix Organic Light Emitting Display ；AMOLED)还具有自发光、高亮度、高发光效率、高对比、反应速度快、广视角、以及可使用温度范围大等进一步的优点，因此在平面显示装置的市场上极具竞争性。一般而言，主动式矩阵有机发光显示装置包含有多个像素单元、移位寄存器电路以及数据驱动器。数据驱动器用来产生多个数据讯号至多个像素单元。移位寄存器电路用来产生多个扫描讯号馈入多个像素单元以控制多个数据讯号的写入运作。此外，移位寄存器电路另用来产生多个发光讯号，据以提供多个像素单元的发光致能控制，而且每一发光讯号反相于对应扫描讯号以进行电路运作的晶体管临界电压补偿。现有技术是以互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor ；CMOS)电路所设计的反相器来提供互为反相的扫描讯号及发光讯号，亦即此种现有的移位寄存器电路包含P型晶体管与N型晶体管，故需较复杂的半导体制造工艺。
技术实现思路
依据本专利技术的实施例，其揭示一种用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号的移位寄存器电路。此种移位寄存器电路包含多级移位寄存器，每一级移位寄存器包含第一下拉单元、输入单元、第一控制单元、第一上拉单元、第二上拉单元、第二下拉单元、以及第二控制单元。第一下拉单元用来根据驱动控制电压与第一时钟以下拉对应扫描讯号。电连接于第一下拉单元的输入单元用来根据输入讯号与反相于第一时钟的第二时钟以输出驱动控制电压。电连接于输入单元的第一控制单元用来根据驱动控制电压以提供第一控制讯号。 电连接于第一控制单元、输入单元与第一下拉单元的第一上拉单元用来根据第一控制讯号以上拉驱动控制电压与对应扫描讯号。电连接于第一下拉单元的第二上拉单元用来根据对应扫描讯号以上拉对应发光讯号。电连接于第二上拉单元的第二下拉单元用来根据第二控制讯号以下拉对应发光讯号。电连接于第二下拉单元的第二控制单元用来根据对应扫描讯号与第二时钟以提供第二控制讯号。附图说明图1为本专利技术第一实施例的移位寄存器电路的示意图。图2为图1所示的移位寄存器电路的工作相关讯号波形示意图，其中横轴为时间轴ο图3为本专利技术第二实施例的移位寄存器电路的示意4为本专利技术第三实施例的移位寄存器电路的示意图附图符号说明 100、 200、 300权利要求1.一种移位寄存器电路，用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号，该移位寄存器电路包含多级移位寄存器，这些级移位寄存器的一第N级移位寄存器包含一第一下拉单元，用来根据一驱动控制电压与一第一时钟以下拉这些扫描讯号的一第 N扫描讯号；一输入单元，电连接于该第一下拉单元，该输入单元用来根据一第一输入讯号与一反相于该第一时钟的第二时钟以输出该驱动控制电压；一第一控制单元，电连接于该输入单元，该第一控制单元用来根据该驱动控制电压以提供一第一控制讯号；一第一上拉单元，电连接于该第一控制单元、该输入单元与该第一下拉单元，该第一上拉单元用来根据该第一控制讯号以上拉该驱动控制电压与该第N扫描讯号；一第二上拉单元，电连接于该第一下拉单元，该第二上拉单元用来根据该第N扫描讯号以上拉这些发光讯号的一第N发光讯号；一第二下拉单元，电连接于该第二上拉单元，该第二下拉单元用来根据一第二控制讯号以下拉该第N发光讯号；以及一第二控制单元，电连接于该第二下拉单元，该第二控制单元用来根据该第N扫描讯号与该第二时钟以提供该第二控制讯号。2.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第一下拉单元包含一第一晶体管，具有一用来接收该第一时钟的第一端、一用来接收该驱动控制电压的栅极端、及一用来输出该第N扫描讯号的第二端。3.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第一上拉单元包含一第二晶体管，具有一电连接于该第一下拉单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端；以及一第三晶体管，具有一电连接于该输入单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收该高参考电压的第二端。4.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第一控制单元包含一第四晶体管，具有一用来接收一低参考电压的第一端、一电连接于该第一端的栅极端、及一用来输出该第一控制讯号的第二端；以及一第五晶体管，具有一电连接于该第四晶体管的第二端的第一端、一用来接收该驱动控制电压的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端。5.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第二上拉单元包含一第六晶体管，具有一用来接收一高参考电压的第一端、一用来接收该第N扫描讯号的栅极端、及一用来输出该第N发光讯号的第二端。6.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第二下拉单元包含一第七晶体管，具有一电连接于该第二上拉单元的第一端、一用来接收该第二控制讯号的栅极端、及一用来接收一低参考电压的第二端。7.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第二控制单元包含一第八晶体管，具有一用来输出该第二控制讯号的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一用来接收一低参考电压的第二端；以及一第九晶体管，具有一电连接于该第八晶体管的第一端的第一端、一用来接收该第N扫描讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端。8.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第N级移位寄存器还包含一第三上拉单元，电连接于该第一下拉单元，该第三上拉单元用来根据一第二输入讯号以上拉该第N扫描讯号。9.如权利要求8所述的移位寄存器电路，其中该第三上拉单元包含一第十晶体管，具有一电连接于该第一下拉单元的第一端、一用来接收该第二输入讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端。10.如权利要求8所述的移位寄存器电路，其中该第一输入讯号为这些扫描讯号的一第(N-I)扫描讯号，该第二输入讯号为这些扫描讯号的一第(N+1)扫描讯号。11.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该输入单元包含一第十一晶体管，具有一用来接收该第一输入讯号的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一电连接于该第一下拉单元的第二端。12.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第N级移位寄存器还包含 一稳压单元，电连接于该输入单元与该第一下拉单元，该稳压单元用来根据该第N扫描讯号以稳压该驱动控制电压。13.如权利要求12所述的移位寄存器电路，其中 该输入单元包含一第十一晶体管，具有一用来接收该第一输入讯号的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一第二端；以及一第十二晶体管，具有一电连接于该第十一晶体管的第二端的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一电连接于该第一下拉单元的第二端；以及该稳压单元包含一第十三晶体管，具有一用来接收该第N扫描讯号的第一端、一用来接收该第N扫描讯号的栅极端、及一电连接于该第十二晶体管的第一端的第二端。14.如权利要求1所述的移位寄存器电路，其中该第N级移位寄存器还包含一本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种移位寄存器电路，用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号，该移位寄存器电路包含多级移位寄存器，这些级移位寄存器的一第Ｎ级移位寄存器包含：一第一下拉单元，用来根据一驱动控制电压与一第一时钟以下拉这些扫描讯号的一第Ｎ扫描讯号；一输入单元，电连接于该第一下拉单元，该输入单元用来根据一第一输入讯号与一反相于该第一时钟的第二时钟以输出该驱动控制电压；一第一控制单元，电连接于该输入单元，该第一控制单元用来根据该驱动控制电压以提供一第一控制讯号；一第一上拉单元，电连接于该第一控制单元、该输入单元与该第一下拉单元，该第一上拉单元用来根据该第一控制讯号以上拉该驱动控制电压与该第Ｎ扫描讯号；一第二上拉单元，电连接于该第一下拉单元，该第二上拉单元用来根据该第Ｎ扫描讯号以上拉这些发光讯号的一第Ｎ发光讯号；一第二下拉单元，电连接于该第二上拉单元，该第二下拉单元用来根据一第二控制讯号以下拉该第Ｎ发光讯号；以及一第二控制单元，电连接于该第二下拉单元，该第二控制单元用来根据该第Ｎ扫描讯号与该第二时钟以提供该第二控制讯号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：曾卿杰，蔡轩名，刘俊彦，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71