【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜太阳电池领域，特别是一种生长绒面结构SiO-TCO薄膜的方法及应用。
技术介绍
透明导电氧化物(transparent conductive oxide-TCO)薄膜材料是薄膜太阳电池的重要组成部分，参见文献 Α. V. Shah, H. Schade, Μ. Vanecek, et al. Progress in Photovoltaics 12 (2004) 113、J. Miiller, B. Rech, J. Springer, et al. Solar Energy 77 (2004) 917。当前薄膜电池中应用最为广泛的TCO薄膜是F掺杂SnO2薄膜 (Sn02:F)和Sn掺杂In2O3薄膜(In2O3:Sn)。F掺杂SnO2薄膜通常是利用常压CVD (APCVD) 技术制备，生长温度较高广500°C )，这对于低温沉积和强H等离子体环境中生长的电池材料而言，将限制其进一步应用，参见文献S. Major, S. Kumar, Μ. Bhatnagar, et al. Applied Physics Letters 49 (1986)...
【技术保护点】
１．一种生长绒面结构ＺｎＯ－ＴＣＯ薄膜的方法，其特征在于：以玻璃衬底为基片，以纯度９９．９９５％的Ｚｎ－Ａｌ合金靶为靶材原料，溅射气体为Ａｒ气，溅射过程中引入氧气且在溅射镀膜周期中氧气流量呈梯度变化，利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ＺｎＯ－ＴＣＯ薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈新亮，王婓，耿新华，张德坤，魏长春，张晓丹，赵颖，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12
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