一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池制造过程中的链式湿法刻蚀工艺，特别是一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺。该工艺首先在待刻蚀的硅片扩散面形成一层水膜保护层，该水膜保护层在后续刻蚀时用来保护硅片的扩散面，然后该硅片漂浮在刻蚀药液上进行常规湿法刻蚀。本发明专利技术利用液体的表面张力在硅片表面形成水膜保护层，不仅可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的多余刻蚀区域，增加PN结的有效受光面积，提高光电转换效率，而且可消除因刻蚀槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结的刻蚀药液液滴滴落、排风不稳定、流量异常等问题，造成扩散面被刻蚀药液破坏，最终降低太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生比例。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀工艺，特别是一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺。
技术介绍
RENA Inoxiside链式湿法刻蚀机台使用的是单面湿法刻蚀工艺，使硅片在药液上漂浮达到刻蚀侧边N型硅的效果。但硅片在药液上漂浮，由于液体张力而浸入到边缘扩散表面，必然对扩散面的N型硅造成影响，这是湿法刻蚀无法避免的缺陷。如图1和3所示， 目前RENA Inoxiside链式湿法刻蚀机台可控制单边刻蚀线宽度的水平在1. Omm 2. Omm, 刻蚀线宽度越宽，多余刻蚀区域9面积越大，电池的有效受光面积会减少，从而导致短路电流降低，电池片的效率降低。同时，RENA Inoxiside链式湿法刻蚀机台经常因反应槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结刻蚀药液液滴低落、排风不稳定、流量异常等问题，造成扩散面被刻蚀药液破坏，最终导致太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺，去除现有湿法刻蚀工艺中产生的多余刻蚀区域，同时降低太阳能电池的各种外观不良片、电性能失效片的产生比例。本专利技术解决其技术问题所采用的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺，其特征是：首先在待刻蚀的（１）的扩散面形成一层水膜保护层（７），该水膜保护层（７）在后续刻蚀时来保护硅片（１）的扩散面，然后该硅片（１）漂浮在刻蚀药液（４）上进行常规湿法刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺，其特征是首先在待刻蚀的(1)的扩散面形成一层水膜保护层(7)，该水膜保护层(7)在后续刻蚀时来保护硅片(1)的扩散面，然后该硅片(1)漂浮在刻蚀药液(4)上进行常规湿法刻蚀。2.根据权利要求1所述的一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺，其特征是形成水膜保护层(7)的方法是在湿法刻蚀机台的上料端增加水喷淋系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：何伟，柴超，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32