【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及表面沉积薄膜技术，特别涉及用于表面沉积薄膜的化学气相沉积系统。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical Vapor D印osition，简称CVD)是反应物质在气态条件 下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基底表面，进而制得固体材料的工艺技 术。详细请参阅Pulpytel， J.等人于2005年4月发表的Dendritic Platinum Aggregates Produced inthe Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition of Tin Oxide Thin Films, Vol聽33， Issue 10， Page (s) :244-245。 化学气相沉积系统在化学气相沉积制程中起着至关重要的作用，它直接影响着沉 积薄膜的均匀性与纯度，薄膜颗粒大小的一致性以及沉积薄膜的速率等。现有的化学气相 沉积系统主要包括常压化学气相沉积(Atmospheric Pressure CVD，简称APCVD)系统、低 压化学气相沉积(Low-Pressure CVD，简称LPCVD)系统与电浆辅助化学气...
【技术保护点】
一种化学气相沉积系统，其包括进气装置、抽气装置以及连接于进气装置与抽气装置之间的反应器，该反应器内设置有用于放置基底的载具，其特征在于，该反应器内位于进气装置与抽气装置之间设置多个隔板，每一隔板均具有至少一个通孔，相邻两个隔板间的通孔相互错开。
【技术特征摘要】
一种化学气相沉积系统，其包括进气装置、抽气装置以及连接于进气装置与抽气装置之间的反应器，该反应器内设置有用于放置基底的载具，其特征在于，该反应器内位于进气装置与抽气装置之间设置多个隔板，每一隔板均具有至少一个通孔，相邻两个隔板间的通孔相互错开。2. 如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该反应器包括相对的第一侧 壁与第二侧壁，该多个隔板包括第一隔板与第二隔板，第一隔板与第二隔板间隔设置，该第 一隔板和第二隔板与第一侧壁和第二侧壁相连接且使反应器内的腔体分隔形成多个空间， 每一第一隔板具有第一通孔，每一第二隔板具有第二通孔。3. 如权利要求2所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该第一通孔设于第一隔板与 第一侧壁之间，该第二通孔设于第二隔板与第二侧壁之间。4. 如权利要求2所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该第一隔板与第二隔板彼此 平行。5. 如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该多个隔板的表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴绍凯，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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