基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理装置及反应容器，尤其是半导体器件制造过程中使用的基板 (衬底)处理装置，与在反应室内处理基板的基板处理装置及反应容器有关，与给基板提供 气体的气体导入部的改进更为密切。
技术介绍
下面参照图14，以直立式基板处理装置为例，简要介绍采用CVD(化学气相沉积) 法或ALD (单原子层沉积)法处理基板时的现用技术。图14是与现用技术有关的直立式基板处理装置中的反应室的反应管内的模式性 剖面图。反应管106内部的结构为作为处理对象的基板(衬底)，插入以多层重状态承载 晶片107的舟108，此外，作为用于工艺处理反应管106内的晶片107的气体导入部，设置了 气咀101。通过在气咀101上设置多个气咀孔103 (图14中示出5个)，使用于处理的气体由 气体输入口 105进入，沿气咀101内前进，从气咀孔103提供给各晶片107。提供给各晶片107的气体对各晶片107实施形成所希望的膜层的工艺处理之后， 由排气口 118排出反应管106外。然而，当设置在气咀101上的各个气咀孔103的开口面积全部相同时，由各气咀孔 103提供给各晶片107的气体流量及流速存在着由靠近气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：绀谷忠司，丰田一行，佐藤武敏，加贺谷徹，嶋信人，石丸信雄，境正宪，奥田和幸，八木泰志，渡边诚治，国井泰夫，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]