金属氧化膜的成膜方法及金属氧化膜的成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供可实现基板的加热处理的低温化、所形成的金属氧化膜的种类不受限制、且可形成电阻值低的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。本发明专利技术的金属氧化膜的成膜方法包括：(A)使含金属的溶液(4、8)雾化的工序；(B)对基板(2)加热的工序；(C)向加热中的基板的第一主面上供给雾化好的溶液和臭氧的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基板上形成金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法以及可实施该金属氧化膜的成膜方法的金属氧化膜的成膜装置。
技术介绍
在太阳能电池、发光器件、触摸屏等领域内，在基板上形成金属氧化膜。以往，作为将金属氧化膜形成在基板上的技术，有专利文献1、2、3。专利文献1的技术是通过使溶解有金属盐或金属络合物的溶液与经加热的基板接触，从而在基板上形成金属氧化膜。这里，该溶液中含有氧化剂和还原剂中的至少一方。专利文献2的技术是将添加有过氧化氢作为氧化剂的四丁基锡或四氯化锡溶液喷雾至预热好的基板而将其热分解。然后，待因该溶液的喷雾而下降的基板温度恢复后，反复实施该溶液的喷雾。藉此，使氧化锡薄膜在基板表面生长。专利文献3的技术是从上方朝保持一定热度的基板间歇喷雾溶解于挥发性溶剂的薄膜材料，从而在基板表面形成透明导电膜。这里，间歇喷雾是指单次喷雾时间在一百毫秒以下的高速脉冲间歇喷雾。专利文献1 日本专利特开2007-109406号公报专利文献2 日本专利特开2002-146536号公报专利文献3 日本专利特开2007_14似97号公报专利技术的揭示但是，专利文献1中，需要将基板加热至300°C以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种金属氧化膜的成膜方法，其特征在于，包括：（Ａ）使含金属的溶液（４、８）雾化的工序；（Ｂ）对基板（２）加热的工序；（Ｃ）向所述工序（Ｂ）中的所述基板的第一主面上供给所述工序（Ａ）中雾化好的所述溶液和臭氧的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属氧化膜的成膜方法，其特征在于，包括(A)使含金属的溶液G、8)雾化的工序；(B)对基板(2)加热的工序；(C)向所述工序(B)中的所述基板的第一主面上供给所述工序(A)中雾化好的所述溶液和臭氧的工序。2.一种金属氧化膜的成膜方法，其特征在于，包括 (V)使含金属的溶液G、8)雾化的工序；(W)向基板O)的第一主面上供给所述工序(V)中雾化好的所述溶液及氧或臭氧的工序；(X)对所述氧或所述臭氧照射紫外光的工序。3.一种金属氧化膜的成膜方法，其特征在于，包括 (V)使含金属的溶液G、8)雾化的工序；(W)向基板O)的第一主面上供给所述工序(V)中雾化好的所述溶液及氧或臭氧的工序；(W)将所述氧或所述臭氧等离子体化的工序。4.如权利要求2或3所述的金属氧化膜的成膜方法，其特征在于， 所述工序(W)是向被加热的所述基板供给所述氧或所述臭氧的工序。5.如权利要求1 3中的任一项所述的金属氧化膜的成膜方法，其特征在于， 所述金属是钛、锌、铟和锡中的至少任一种。6.如权利要求5所述的金属氧化膜的成膜方法，其特征在于，所述溶液中至少包含硼、氮、氟、镁、铝、磷、氯、镓、砷、铌、铟和锑中的任一种。7.如权利要求1 3中的任一项所述的金属氧化膜的成膜方法，其特征在于， 所述工序㈧或(V)是使2种以上的所述溶液分别雾化的工序；所述工序(C)或(W)是同时或分别供给不同的所述溶液的工序。...

【专利技术属性】
技术研发人员：织田容征，吉田章男，小仓正久，白幡孝洋，田中修司，
申请(专利权)人：东芝三菱电机产业系统株式会社，
类型：发明
国别省市：JP